[導讀]面對韓國三星切入晶圓代工市場且不斷挑釁,臺積電昨(3)日開放媒體參觀南科14廠(Fab 14)時,首度打破沈默,強調(diào)南科14廠已建置四座12寸晶圓廠,正緊鑼密鼓興建的有三座,隨便一座都能打贏三星。
臺積電近來面臨強
面對韓國三星切入晶圓代工市場且不斷挑釁,臺積電昨(3)日開放媒體參觀南科14廠(Fab 14)時,首度打破沈默,強調(diào)南科14廠已建置四座12寸晶圓廠,正緊鑼密鼓興建的有三座,隨便一座都能打贏三星。
臺積電近來面臨強敵三星和半導體龍頭英特爾切入晶圓代工競爭,加上格羅方德和聯(lián)電等在28納米制程也迎頭趕上,分食臺積電部分客戶,臺積電前有強敵、后有追兵。臺積電昨天在外資法人買超2.52萬張力挺下,上漲2元,以105元作收,ADR早盤同步上漲1.6%。
臺積電為向競爭對手、客戶展現(xiàn)技術實力,昨天特別安排國內(nèi)外媒體參觀南科14廠,而且首度開放媒體進入核心無塵室和正在趕工的超大型旗艦廠,和勁敵拚場意味濃。
臺積電企業(yè)訊息處長暨法人關系處長孫又文首度證實即將導入20納米制程的南科14廠第五期工程(P5),在今年第2季開始裝機后,即將于年底進行最后試產(chǎn)階段的風險生產(chǎn),預定明年2月量產(chǎn),遠遠領先競爭對手。緊接著第六工程也預定在明年元月完工,明年投入量產(chǎn),創(chuàng)下臺積電有史以來最短的裝機時程。
臺積電南科Fab 14廠是20、16納米產(chǎn)能的重鎮(zhèn)。Fab 14廠目前已完成P1~P4四座12寸晶圓廠,正緊鑼密鼓興建P5~P7三座12寸晶圓廠。
其中,P1~P4月投片量已達20萬片,已成為單一廠區(qū)全球最大12晶圓廠;而正興建中的P5~P7,生產(chǎn)規(guī)模比前四座更大,潔凈室面積更是前面幾座的2.5倍大,被堪稱為全球最大的超大型12寸晶圓廠,這三座廠房共占地55萬平方米,比中科超大晶圓廠的40萬平方米更大。
由于七座12寸晶圓廠均采高度自動化,以及臺積電引以自豪的節(jié)能和廢水回收系統(tǒng),讓臺積電回嗆對手三星,隨便一座都能打贏三星。
臺積電也不只靠產(chǎn)能大就取得晶圓代工龍頭地位。孫又文表示,去年十幾家主要客戶加計臺積電的總研發(fā)支出金額達到135.64億美元,超越三星的102.38億美元,及英特爾的101.48億美元。
孫又文強調(diào),臺積電不與客戶競爭,與客戶共同追求成功,除了未來持續(xù)推進至20納米及16 納米FinFET先進制程,臺積電挾全球最大的IP智庫、最快的交期及最大的產(chǎn)能支持,未來又以結(jié)合設備、自動工具、矽智財?shù)葟S商形成「大同盟」,絕對有實力持續(xù)保持領先。
圖/經(jīng)濟日報提供
20納米 非過渡制程
臺積電企業(yè)訊息處長暨法人關系處長孫又文昨(3)日強調(diào),20納米制程壽命不會只有一年,前兩年出貨量將與28納米量產(chǎn)的前兩年相當。臺積電20納米制程預定明年量產(chǎn),緊接著16納米也將于明年第4季試產(chǎn),法人憂心,20納米制程恐成為過渡制程,孫又文的說法澄清外界疑慮。
孫又文表示,臺積電20納米和16納米制程設備,有95%幾乎相同,兩者制程技術的最大差距,是在晶體管(Transistor )的結(jié)構上,從Planar轉(zhuǎn)換成FinFET(鰭式場效電芯片),而且臺積電當初投資計劃,就是把20納米和16納米視為一整個計畫,先建立20納米量產(chǎn)技術后,可以縮短16納米量產(chǎn)的學習曲線。她并強調(diào),臺積電其實兩年前就開始投入20納米制程,而16 納米制程是20納米的延伸,這中間已有很長的學習曲線。
例如從20納米開始,臺積電就能夠針對雙重曝光(double-patterning)技術提早練兵,進入16納米唯一的改變只有晶體管結(jié)構的轉(zhuǎn)換,這也是臺積電能在今年底進行最后試產(chǎn)階段的風險生產(chǎn),相對競爭對手三星到目前都還只是計畫,未見任何試產(chǎn)前的準備,預料臺積電的16納米制程,絕對會比對手來的穩(wěn)健、可靠。
臺積電近來面臨強敵三星和半導體龍頭英特爾切入晶圓代工競爭,加上格羅方德和聯(lián)電等在28納米制程也迎頭趕上,分食臺積電部分客戶,臺積電前有強敵、后有追兵。臺積電昨天在外資法人買超2.52萬張力挺下,上漲2元,以105元作收,ADR早盤同步上漲1.6%。
臺積電為向競爭對手、客戶展現(xiàn)技術實力,昨天特別安排國內(nèi)外媒體參觀南科14廠,而且首度開放媒體進入核心無塵室和正在趕工的超大型旗艦廠,和勁敵拚場意味濃。
臺積電企業(yè)訊息處長暨法人關系處長孫又文首度證實即將導入20納米制程的南科14廠第五期工程(P5),在今年第2季開始裝機后,即將于年底進行最后試產(chǎn)階段的風險生產(chǎn),預定明年2月量產(chǎn),遠遠領先競爭對手。緊接著第六工程也預定在明年元月完工,明年投入量產(chǎn),創(chuàng)下臺積電有史以來最短的裝機時程。
臺積電南科Fab 14廠是20、16納米產(chǎn)能的重鎮(zhèn)。Fab 14廠目前已完成P1~P4四座12寸晶圓廠,正緊鑼密鼓興建P5~P7三座12寸晶圓廠。
其中,P1~P4月投片量已達20萬片,已成為單一廠區(qū)全球最大12晶圓廠;而正興建中的P5~P7,生產(chǎn)規(guī)模比前四座更大,潔凈室面積更是前面幾座的2.5倍大,被堪稱為全球最大的超大型12寸晶圓廠,這三座廠房共占地55萬平方米,比中科超大晶圓廠的40萬平方米更大。
由于七座12寸晶圓廠均采高度自動化,以及臺積電引以自豪的節(jié)能和廢水回收系統(tǒng),讓臺積電回嗆對手三星,隨便一座都能打贏三星。
臺積電也不只靠產(chǎn)能大就取得晶圓代工龍頭地位。孫又文表示,去年十幾家主要客戶加計臺積電的總研發(fā)支出金額達到135.64億美元,超越三星的102.38億美元,及英特爾的101.48億美元。
孫又文強調(diào),臺積電不與客戶競爭,與客戶共同追求成功,除了未來持續(xù)推進至20納米及16 納米FinFET先進制程,臺積電挾全球最大的IP智庫、最快的交期及最大的產(chǎn)能支持,未來又以結(jié)合設備、自動工具、矽智財?shù)葟S商形成「大同盟」,絕對有實力持續(xù)保持領先。
圖/經(jīng)濟日報提供
20納米 非過渡制程
臺積電企業(yè)訊息處長暨法人關系處長孫又文昨(3)日強調(diào),20納米制程壽命不會只有一年,前兩年出貨量將與28納米量產(chǎn)的前兩年相當。臺積電20納米制程預定明年量產(chǎn),緊接著16納米也將于明年第4季試產(chǎn),法人憂心,20納米制程恐成為過渡制程,孫又文的說法澄清外界疑慮。
孫又文表示,臺積電20納米和16納米制程設備,有95%幾乎相同,兩者制程技術的最大差距,是在晶體管(Transistor )的結(jié)構上,從Planar轉(zhuǎn)換成FinFET(鰭式場效電芯片),而且臺積電當初投資計劃,就是把20納米和16納米視為一整個計畫,先建立20納米量產(chǎn)技術后,可以縮短16納米量產(chǎn)的學習曲線。她并強調(diào),臺積電其實兩年前就開始投入20納米制程,而16 納米制程是20納米的延伸,這中間已有很長的學習曲線。
例如從20納米開始,臺積電就能夠針對雙重曝光(double-patterning)技術提早練兵,進入16納米唯一的改變只有晶體管結(jié)構的轉(zhuǎn)換,這也是臺積電能在今年底進行最后試產(chǎn)階段的風險生產(chǎn),相對競爭對手三星到目前都還只是計畫,未見任何試產(chǎn)前的準備,預料臺積電的16納米制程,絕對會比對手來的穩(wěn)健、可靠。





