面對(duì)韓國(guó)三星切入晶圓代工市場(chǎng)且不斷挑釁，臺(tái)積電昨（3）日開(kāi)放媒體參觀南科14廠（Fab 14）時(shí)，首度打破沈默，強(qiáng)調(diào)南科14廠已建置四座12寸晶圓廠，正緊鑼密鼓興建的有三座，隨便一座都能打贏三星。
臺(tái)積電近來(lái)面臨強(qiáng)敵三星和半導(dǎo)體龍頭英特爾切入晶圓代工競(jìng)爭(zhēng)，加上格羅方德和聯(lián)電等在28納米制程也迎頭趕上，分食臺(tái)積電部分客戶，臺(tái)積電前有強(qiáng)敵、后有追兵。臺(tái)積電昨天在外資法人買(mǎi)超2.52萬(wàn)張力挺下，上漲2元，以105元作收，ADR早盤(pán)同步上漲1.6%。

臺(tái)積電為向競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手、客戶展現(xiàn)技術(shù)實(shí)力，昨天特別安排國(guó)內(nèi)外媒體參觀南科14廠，而且首度開(kāi)放媒體進(jìn)入核心無(wú)塵室和正在趕工的超大型旗艦廠，和勁敵拚?qǐng)鲆馕稘狻?br>
臺(tái)積電企業(yè)訊息處長(zhǎng)暨法人關(guān)系處長(zhǎng)孫又文首度證實(shí)即將導(dǎo)入20納米制程的南科14廠第五期工程（P5），在今年第2季開(kāi)始裝機(jī)后，即將于年底進(jìn)行最后試產(chǎn)階段的風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)，預(yù)定明年2月量產(chǎn)，遠(yuǎn)遠(yuǎn)領(lǐng)先競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。緊接著第六工程也預(yù)定在明年元月完工，明年投入量產(chǎn)，創(chuàng)下臺(tái)積電有史以來(lái)最短的裝機(jī)時(shí)程。

臺(tái)積電南科Fab 14廠是20、16納米產(chǎn)能的重鎮(zhèn)。Fab 14廠目前已完成P1~P4四座12寸晶圓廠，正緊鑼密鼓興建P5~P7三座12寸晶圓廠。

其中，P1~P4月投片量已達(dá)20萬(wàn)片，已成為單一廠區(qū)全球最大12晶圓廠；而正興建中的P5~P7，生產(chǎn)規(guī)模比前四座更大，潔凈室面積更是前面幾座的2.5倍大，被堪稱為全球最大的超大型12寸晶圓廠，這三座廠房共占地55萬(wàn)平方米，比中科超大晶圓廠的40萬(wàn)平方米更大。

由于七座12寸晶圓廠均采高度自動(dòng)化，以及臺(tái)積電引以自豪的節(jié)能和廢水回收系統(tǒng)，讓臺(tái)積電回嗆對(duì)手三星，隨便一座都能打贏三星。

臺(tái)積電也不只靠產(chǎn)能大就取得晶圓代工龍頭地位。孫又文表示，去年十幾家主要客戶加計(jì)臺(tái)積電的總研發(fā)支出金額達(dá)到135.64億美元，超越三星的102.38億美元，及英特爾的101.48億美元。

孫又文強(qiáng)調(diào)，臺(tái)積電不與客戶競(jìng)爭(zhēng)，與客戶共同追求成功，除了未來(lái)持續(xù)推進(jìn)至20納米及16 納米FinFET先進(jìn)制程，臺(tái)積電挾全球最大的IP智庫(kù)、最快的交期及最大的產(chǎn)能支持，未來(lái)又以結(jié)合設(shè)備、自動(dòng)工具、矽智財(cái)?shù)葟S商形成「大同盟」，絕對(duì)有實(shí)力持續(xù)保持領(lǐng)先。



圖／經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)提供
20納米 非過(guò)渡制程

臺(tái)積電企業(yè)訊息處長(zhǎng)暨法人關(guān)系處長(zhǎng)孫又文昨（3）日強(qiáng)調(diào)，20納米制程壽命不會(huì)只有一年，前兩年出貨量將與28納米量產(chǎn)的前兩年相當(dāng)。臺(tái)積電20納米制程預(yù)定明年量產(chǎn)，緊接著16納米也將于明年第4季試產(chǎn)，法人憂心，20納米制程恐成為過(guò)渡制程，孫又文的說(shuō)法澄清外界疑慮。

孫又文表示，臺(tái)積電20納米和16納米制程設(shè)備，有95%幾乎相同，兩者制程技術(shù)的最大差距，是在晶體管（Transistor ）的結(jié)構(gòu)上，從Planar轉(zhuǎn)換成FinFET（鰭式場(chǎng)效電芯片），而且臺(tái)積電當(dāng)初投資計(jì)劃，就是把20納米和16納米視為一整個(gè)計(jì)畫(huà)，先建立20納米量產(chǎn)技術(shù)后，可以縮短16納米量產(chǎn)的學(xué)習(xí)曲線。她并強(qiáng)調(diào)，臺(tái)積電其實(shí)兩年前就開(kāi)始投入20納米制程，而16 納米制程是20納米的延伸，這中間已有很長(zhǎng)的學(xué)習(xí)曲線。

例如從20納米開(kāi)始，臺(tái)積電就能夠針對(duì)雙重曝光（double-patterning）技術(shù)提早練兵，進(jìn)入16納米唯一的改變只有晶體管結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)換，這也是臺(tái)積電能在今年底進(jìn)行最后試產(chǎn)階段的風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)，相對(duì)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星到目前都還只是計(jì)畫(huà)，未見(jiàn)任何試產(chǎn)前的準(zhǔn)備，預(yù)料臺(tái)積電的16納米制程，絕對(duì)會(huì)比對(duì)手來(lái)的穩(wěn)健、可靠。