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[導讀]臺積電執(zhí)行副總經理暨共同營運長蔣尚義決定在10月底退休,雖然看起來,「蔣爸」早已安排好未來5年的技術研發(fā)基礎,但臺積電的主要對手,也已經轉為資金雄厚的IDM廠。面對英特爾及三星的步步進逼,臺積電能否擊敗對手

臺積電執(zhí)行副總經理暨共同營運長蔣尚義決定在10月底退休,雖然看起來,「蔣爸」早已安排好未來5年的技術研發(fā)基礎,但臺積電的主要對手,也已經轉為資金雄厚的IDM廠。面對英特爾及三星的步步進逼,臺積電能否擊敗對手,關鍵在于2015年才要投入量產的16納米鰭式場效晶體管(FinFET)。

蔣尚義自2009年重掌技術研發(fā)兵符以來,臺積電的技術發(fā)展藍圖出現了重大變革。第一,因為先進制程研發(fā)費用愈來愈高,臺積電已無法再提供客戶吃到飽的「歐式自助餐」,蔣尚義在確認了所有客戶未來幾年的技術需求后,決定放棄32納米而直接主攻28納米。

但28納米世代已改采高介電(high-k)材料,臺積電將研發(fā)資源集中放在高介電金屬閘極(HKMG)及后閘極(gate-last)設計,率先導入28納米量產,也等于通吃全球28納米市場。

第二是臺積電20納米制程世代不再區(qū)分高效能或低功耗,只單純提供一種20納米系統(tǒng)單芯片制程,此一作法大幅降低研發(fā)費用,也抓到行動裝置內建芯片的重要精髓,那就是20納米能優(yōu)化ARM應用處理器架構及高度矽智財集成性,對主要客戶群來說能更快完成芯片設計定案及縮短進入市場時間。

第三是英特爾早已提供3D晶體管架構制程Tri-Gate,并爭取到臺積電大客戶阿爾特拉(Altera)訂單,讓臺積電決定加快導入3D晶體管架構的FinFET制程,16納米FinFET制程等于提前一年量產。此一決定也影響到之后10納米世代的技術藍圖如何布建,因為屆時可能會真正開始采用新一代的極紫外光(EUV)微影技術。

蔣尚義完成了這三件事,等于替臺積電前進10納米世代的未來5~7年打下牢固基礎,但在20納米開始量產、16納米市場大戰(zhàn)即將到來的此刻,蔣尚義決定退休,不僅考驗另2位共同營運長劉德音及魏哲家的帶領研發(fā)功力,也考驗臺積電能否不受人事異動影響,繼續(xù)自主完成新技術研發(fā)及導入量產。



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