“這就是我們的14nm工藝”,英特爾有信心繼續(xù)微細化
[導讀]“這就是我們的可實際開展工作的14nm工藝”。美國英特爾首席執(zhí)行官(CEO)布萊恩·克蘭尼克(Brian Krzanich)在2013年9月10日于美國舊金山舉行的“Intel Developer Forum(IDF)”主題演講中,現(xiàn)場演示了配備新一代
“這就是我們的可實際開展工作的14nm工藝”。美國英特爾首席執(zhí)行官(CEO)布萊恩·克蘭尼克(Brian Krzanich)在2013年9月10日于美國舊金山舉行的“Intel Developer Forum(IDF)”主題演講中,現(xiàn)場演示了配備新一代14nm級微處理器“Broadwell”(開發(fā)代碼)的個人電腦(Ultrabook)。
“將在2013年內(nèi)開始量產(chǎn)采用14nm級工藝技術的處理器”??颂m尼克在主題演講中宣布,將按照計劃使工藝技術微細化至14nm。配備Broadwell的產(chǎn)品估計可在2014年提供給廠商。
英特爾首席執(zhí)行官(CEO)布萊恩·克蘭尼克手拿配備14nm級微處理器“Broadwell”的Ultrabook(點擊放大)
14nm工藝的芯片(點擊放大)
每兩年進行一次微細化,2017年將微細化至7nm工藝(點擊放大)
英特爾已經(jīng)量產(chǎn)的high-k(高介電常數(shù))柵極絕緣膜和Tri-Gate晶體管原以為很難制造(點擊放大)
據(jù)介紹,當處理器的工藝技術微細化至14nm后,與現(xiàn)有的基于22nm級“Haswell”(開發(fā)代碼)的處理器相比,可將耗電量降低30%。英特爾堅持推進每兩年進行一次微細化的技術戰(zhàn)略,計劃2013年量產(chǎn)14nm工藝技術、2015年量產(chǎn)10nm工藝技術、2017年量產(chǎn)7nm工藝技術。在此次的主題演講中,該公司強調(diào)最新的14nm工藝技術正在順利推進研發(fā)。
英特爾將在14nm工藝中繼續(xù)采用22nm工藝中導入的立體溝道構造Tri-Gate晶體管(FinFET)技術。在克蘭尼克之后亮相的該公司總裁雷內(nèi)·詹姆斯(Renee James)表示,利用以Tri-Gate為代表的技術突破,“摩爾法則”能夠繼續(xù)擁有生命力。(記者:木村 雅秀,日經(jīng)BP半導體調(diào)查)
“將在2013年內(nèi)開始量產(chǎn)采用14nm級工藝技術的處理器”??颂m尼克在主題演講中宣布,將按照計劃使工藝技術微細化至14nm。配備Broadwell的產(chǎn)品估計可在2014年提供給廠商。
英特爾首席執(zhí)行官(CEO)布萊恩·克蘭尼克手拿配備14nm級微處理器“Broadwell”的Ultrabook(點擊放大)
14nm工藝的芯片(點擊放大)
每兩年進行一次微細化,2017年將微細化至7nm工藝(點擊放大)
英特爾已經(jīng)量產(chǎn)的high-k(高介電常數(shù))柵極絕緣膜和Tri-Gate晶體管原以為很難制造(點擊放大)
據(jù)介紹,當處理器的工藝技術微細化至14nm后,與現(xiàn)有的基于22nm級“Haswell”(開發(fā)代碼)的處理器相比,可將耗電量降低30%。英特爾堅持推進每兩年進行一次微細化的技術戰(zhàn)略,計劃2013年量產(chǎn)14nm工藝技術、2015年量產(chǎn)10nm工藝技術、2017年量產(chǎn)7nm工藝技術。在此次的主題演講中,該公司強調(diào)最新的14nm工藝技術正在順利推進研發(fā)。
英特爾將在14nm工藝中繼續(xù)采用22nm工藝中導入的立體溝道構造Tri-Gate晶體管(FinFET)技術。在克蘭尼克之后亮相的該公司總裁雷內(nèi)·詹姆斯(Renee James)表示,利用以Tri-Gate為代表的技術突破,“摩爾法則”能夠繼續(xù)擁有生命力。(記者:木村 雅秀,日經(jīng)BP半導體調(diào)查)





