設備大廠美商科磊（KLA Tencor）昨（21）日在新竹舉行科技論壇，并發(fā)表新一代晶圓缺陷檢測系列設備及新技術?？评跔I銷長Brian Trafas表示，由半導體主流制程的微縮轉(zhuǎn)換趨勢來看，電子束檢測并無法取代光學檢測，尤其晶圓廠在要求提升先進制程良率之際，也要同步放大投片產(chǎn)能，電子束缺陷檢測設備支持的產(chǎn)出速度太慢，短期內(nèi)仍無法與光學檢測設備相抗衡。

雖然電子束晶圓缺陷檢測技術當紅，臺灣設備廠漢微科及科磊已在電子束檢測設備市場上短兵相接，但因科磊擁有光學檢測的技術支持，Brian Trafas認為，只有結(jié)合光學及電子束檢測技術，才有辦法協(xié)助晶圓廠在最短時間內(nèi)完成制程良率提升及拉高產(chǎn)能，如科磊的新一代晶圓缺陷檢測設備已獲臺積電及聯(lián)電采用。

Brian Trafas表示，行動裝置對于低功耗及先進半導體制程的需求十分強勁，包括臺積電在內(nèi)的半導體大廠，已開始跨入20納米以下先進制程，且隨著半導體制造技術由2D轉(zhuǎn)進3D世代后，3D存儲器或鰭式場效晶體管（FinFET）、多重曝影（double patterning）微影等技術將是未來主流，在制程持續(xù)微縮的此刻，晶圓缺陷檢測的難度更高，因此需要更有效率的設備支持。

Brian Trafas指出，晶圓缺陷檢測可分為光學及電子束兩大類，其中光學檢測還包括了寬頻電漿（Broadband Plasma）及雷射散射（Laser Scatter）等制程。雖然電子束檢測技術近期受到業(yè)界及市場矚目，但要在產(chǎn)能龐大且生產(chǎn)很多不同產(chǎn)品的晶圓廠中，只單純使用電子束檢測設備，將因檢測速度不夠快，進而影響到晶圓廠的產(chǎn)出（through put）速度?？评谂_灣分公司總經(jīng)理張水榮表示，電子束檢測速度不夠快，無法支持晶圓廠投片量產(chǎn)速度，所以光學檢測設備仍是未來幾年的主流。