設(shè)備大廠美商科磊（KLA Tencor）昨（21）日在新竹舉行科技論壇，并發(fā)表新一代晶圓缺陷檢測(cè)系列設(shè)備及新技術(shù)?？评跔I(yíng)銷長(zhǎng)Brian Trafas表示，由半導(dǎo)體主流制程的微縮轉(zhuǎn)換趨勢(shì)來(lái)看，電子束檢測(cè)并無(wú)法取代光學(xué)檢測(cè)，尤其晶圓廠在要求提升先進(jìn)制程良率之際，也要同步放大投片產(chǎn)能，電子束缺陷檢測(cè)設(shè)備支持的產(chǎn)出速度太慢，短期內(nèi)仍無(wú)法與光學(xué)檢測(cè)設(shè)備相抗衡。

雖然電子束晶圓缺陷檢測(cè)技術(shù)當(dāng)紅，臺(tái)灣設(shè)備廠漢微科及科磊已在電子束檢測(cè)設(shè)備市場(chǎng)上短兵相接，但因科磊擁有光學(xué)檢測(cè)的技術(shù)支持，Brian Trafas認(rèn)為，只有結(jié)合光學(xué)及電子束檢測(cè)技術(shù)，才有辦法協(xié)助晶圓廠在最短時(shí)間內(nèi)完成制程良率提升及拉高產(chǎn)能，如科磊的新一代晶圓缺陷檢測(cè)設(shè)備已獲臺(tái)積電及聯(lián)電采用。

Brian Trafas表示，行動(dòng)裝置對(duì)于低功耗及先進(jìn)半導(dǎo)體制程的需求十分強(qiáng)勁，包括臺(tái)積電在內(nèi)的半導(dǎo)體大廠，已開始跨入20納米以下先進(jìn)制程，且隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)由2D轉(zhuǎn)進(jìn)3D世代后，3D存儲(chǔ)器或鰭式場(chǎng)效晶體管（FinFET）、多重曝影（double patterning）微影等技術(shù)將是未來(lái)主流，在制程持續(xù)微縮的此刻，晶圓缺陷檢測(cè)的難度更高，因此需要更有效率的設(shè)備支持。

Brian Trafas指出，晶圓缺陷檢測(cè)可分為光學(xué)及電子束兩大類，其中光學(xué)檢測(cè)還包括了寬頻電漿（Broadband Plasma）及雷射散射（Laser Scatter）等制程。雖然電子束檢測(cè)技術(shù)近期受到業(yè)界及市場(chǎng)矚目，但要在產(chǎn)能龐大且生產(chǎn)很多不同產(chǎn)品的晶圓廠中，只單純使用電子束檢測(cè)設(shè)備，將因檢測(cè)速度不夠快，進(jìn)而影響到晶圓廠的產(chǎn)出（through put）速度?？评谂_(tái)灣分公司總經(jīng)理張水榮表示，電子束檢測(cè)速度不夠快，無(wú)法支持晶圓廠投片量產(chǎn)速度，所以光學(xué)檢測(cè)設(shè)備仍是未來(lái)幾年的主流。