益華宣布經(jīng)過廣泛的基準測試后，聯(lián)華電子已經(jīng)采用Cadence設計中(In-design)與signoff DFM(Design-for-manufacturing)流程，執(zhí)行28奈米(nm)制程設計的實體signoff與電子變異性最佳化。這個流程解決隨機與系統(tǒng)良率問題，為客戶提供另一個通過晶圓廠驗證的28奈米制程設計流程。這些新流程是與聯(lián)華電子合作開發(fā)的，融合DFM預防、分析和signoff功能，包括Cadence Litho Physical Analyzer (LPA)、Cadence Pattern Analysis、Cadence Litho Electrical Analyzer(LEA)和Cadence Chemical-Mechanical Polishing Predictor(CCP)技術。
益華晶片實現(xiàn)事業(yè)群晶片Signoff與驗證副總裁Anirudh Devgan表示，在先進制程，試產(chǎn)之前預防可能的DFM熱點與良率限制因素是非常重要的，才能夠實現(xiàn)一次就成功(first-silicon success)與最高晶片良率。益華與聯(lián)電緊密合作，不斷地投資于能夠強化益華sign-off技術，例如為現(xiàn)在與未來制程提供具備DFM意識的設計實現(xiàn)流程。

在28奈米和以下制程，精準地預測和自動修正DFM「熱點」以縮短達成高良率目標所需的時間(Time-to-yield)非常關鍵。聯(lián)電加入Cadence DFM解決方案上進行標準化的陣容，大幅提高客戶的生產(chǎn)力與良率。DFM signoff技術緊密地整合到Encounter數(shù)位與Cadence Virtuoso客制/類比設計實現(xiàn)與sign-off解決方案中。這套解決方案為客戶提供「一次設計即正確(correct-by-design)」的功能，建立微影、CMP和布局依賴效應之實體與參數(shù)影響的模型并加以分析，然后使設計實現(xiàn)最佳化，以紓解設計上的實體與電子變異，讓使用者能夠達到自己的量產(chǎn)前置時間(Time-to-volume)目標。

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