就在市場普遍關(guān)注晶圓代工廠的28納米制程競爭之際，晶圓代工龍頭臺積電（2330）仍積極將現(xiàn)有技術(shù)升級為特殊技術(shù)制程產(chǎn)能，原因就是持續(xù)看好行動裝置及智能穿戴裝置的強勁成長動能，包括嵌入式快閃存儲器（eFlash）、CMOS影像傳感器、指紋辨識元件、微機電及光感測元件等，都是臺積電未來2～3年的布局重點。

臺積電董事長張忠謀在上周法說會中，特別提及特殊技術(shù)重要性，因為行動裝置及智能穿戴裝置的ARM架構(gòu)核心處理器芯片，會大量用到28納米以下先進(jìn)制程，但其它的類比或感測芯片同樣重要，而這些芯片雖不需應(yīng)用到先進(jìn)制程，但現(xiàn)有的6寸或8寸成熟制程仍需升級之后，才能生產(chǎn)出符合市場需求的芯片。

張忠謀提及，特殊技術(shù)制程未來幾年將見到明顯成長，包括高電壓電源管理IC、嵌入式快閃存儲器微控制器（eFlash MCU）、陀螺儀等微機電、CMOS影像傳感器等最被看好。

當(dāng)然，隨著行動裝置及智能穿戴裝置在功能上的推除出新，臺積電也推出許多特殊技術(shù)制程因應(yīng)客戶需求，包括將感測芯片及鏡頭堆疊在一起的新技術(shù)、指紋辨識需應(yīng)用到的混合訊號制程、應(yīng)用在近場無線通訊（NFC）及觸控IC上的eFlash技術(shù)等。

臺積電過去幾年將成熟制程發(fā)展，列出MR. ABCD的新策略，鎖定6大產(chǎn)品線發(fā)展。根據(jù)臺積電規(guī)畫，包括微機電及微控制器（MEMS & MCU）、射頻芯片（RF）、汽車及類比芯片（Automative & Analog）、電源管理芯片使用的高壓BCD制程、影像傳感器（CMOS Image Sensor）、及顯示器驅(qū)動芯片（Display）等。6大產(chǎn)品線取其第一個英文字母，就成為了MR. ABCD策略。

分析師指出，臺積電MR. ABCD過去幾年拿下不少訂單，現(xiàn)在行動裝置及智能穿戴裝置中，采用成熟制程的新功能芯片成長快速，臺積電利用原本基礎(chǔ)投入新一代特殊技術(shù)開發(fā)，這個策略及轉(zhuǎn)變已運行一段時間，也得到不少客戶青睞。