晶圓代工龍頭臺(tái)積電(2330)今(11日)召開(kāi)股東會(huì)，董事長(zhǎng)張忠謀(見(jiàn)附圖)也于股東會(huì)中向股東報(bào)告臺(tái)積未來(lái)在先進(jìn)制程的進(jìn)度。他表示，臺(tái)積于去年11月，即開(kāi)始采用20奈米系統(tǒng)單晶片制程，為客戶生產(chǎn)測(cè)試晶片，并預(yù)計(jì)于2014年正式進(jìn)入量產(chǎn)。此外，臺(tái)積也同步切入16奈米FinFET制程，于2012年完成16奈米FinFET制程的定義后即進(jìn)行開(kāi)發(fā)，迅速且順利地完成測(cè)試晶片的產(chǎn)品設(shè)計(jì)定案(tape-out)。

而由于20-SoC制程與16奈米FinFET制程導(dǎo)線密度的相似性，他指出，臺(tái)積預(yù)計(jì)在20-SoC制程推出一年后，緊接進(jìn)入16奈米FinFET制程試產(chǎn)，量產(chǎn)速度較前幾代制程更快。
張忠謀表示，他對(duì)臺(tái)積的前途「非常樂(lè)觀」。
張忠謀強(qiáng)調(diào)，臺(tái)積20奈米制程與16奈米FinFET制程，皆代表目前最先進(jìn)的制程技術(shù)。同時(shí)，臺(tái)積對(duì)于采用多重曝光顯影機(jī)臺(tái)的10 奈米制程前導(dǎo)作業(yè)也已起步，目前正著手開(kāi)發(fā)創(chuàng)新制程，以因應(yīng)先進(jìn)世代技術(shù)所帶來(lái)的挑戰(zhàn)。

張忠謀表示，2012年，臺(tái)積已成為首家提供客戶從前端晶圓制造，到后端封裝測(cè)試完整解決方案的專業(yè)積體電路制造服務(wù)公司，而臺(tái)積的封裝技術(shù)包括先進(jìn)的導(dǎo)線、可量產(chǎn)的高密度中介層矽穿孔（TSV）晶片堆疊技術(shù)以及先進(jìn)的晶圓級(jí)晶片尺寸封裝（WLCSP）等。