聯(lián)電與IBM昨（13）日共同宣布，聯(lián)電將加入IBM技術(shù)開發(fā)聯(lián)盟共同開發(fā)10nm(納米）CMOS制程技術(shù)。

聯(lián)電表示，將指派工程團(tuán)隊加入位于美國紐約州阿爾巴尼（Albany, New York）的10納米研發(fā)計劃，而聯(lián)電14納米FinFET與10納米未來的制造，則將于聯(lián)電臺灣南科的研發(fā)中心進(jìn)行。

聯(lián)電進(jìn)一步說明，兩家公司此次的協(xié)議，拓展了雙方于2012年簽訂之14納米FinFET合作協(xié)議。而擁有IBM的支持與know-how，聯(lián)電將可持續(xù)提升其內(nèi)部自行研發(fā)的14納米FinFET技術(shù)，針對行動運算與通訊產(chǎn)品，提供富競爭力的低耗電優(yōu)化技術(shù)。雙方計劃開發(fā)10納米制程基礎(chǔ)技術(shù)，以滿足聯(lián)電客戶的需求。

IBM半導(dǎo)體研發(fā)副總Gary Patton表示，IBM聯(lián)盟成立至今已逾十年，聯(lián)盟伙伴可集成運用其專業(yè)知識，團(tuán)隊研究合作與創(chuàng)新的技術(shù)研發(fā)，藉此滿足對先進(jìn)半導(dǎo)體應(yīng)用產(chǎn)品與日俱增的需求。而聯(lián)電的加入，將使聯(lián)盟的實力更加強大。

聯(lián)電執(zhí)行長顏博文則表示，IBM為眾所公認(rèn)的半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者。聯(lián)電十分高興能與IBM在先進(jìn)制程領(lǐng)域攜手合作，貢獻(xiàn)聯(lián)電多年來開發(fā)高競爭力制造技術(shù)所累積的經(jīng)驗。身為世界頂尖的晶圓專工廠之一，聯(lián)電肩負(fù)著適時推出尖端制程，以實現(xiàn)客戶次世代芯片設(shè)計的使命與承諾，公司十分期待與IBM密切合作，借重其深厚的技術(shù)專業(yè)，來縮短10納米與FinFET的研發(fā)周期。