晶圓代工大廠聯(lián)華電子(UMC，以下簡稱聯(lián)電)與半導(dǎo)體邏輯非揮發(fā)性記憶體(NVM)矽智財領(lǐng)導(dǎo)廠商 Kilopass 日前共同宣布，雙方已簽署技術(shù)開發(fā)協(xié)議，Kilopass非揮發(fā)性記憶體矽智財將于聯(lián)電兩個 28奈米先進(jìn)制程平臺上提供，分別為：適用于生產(chǎn)可攜式裝置產(chǎn)品系統(tǒng)單晶片的高介電質(zhì)金屬閘(High-k/Metal Gate) 28HPM ；以及受消費(fèi)性電子產(chǎn)品系統(tǒng)單晶片設(shè)計(jì)公司青睞的多晶矽(Poly /SiON) 28HLP 制程。
聯(lián)電 28奈米制程的晶片閘極密度為 40奈米制程的兩倍。具成本效益的28HLP多晶矽(Poly/ SiON) 制程，與業(yè)界其他28奈米多晶矽(Poly /SiON) 制程相比，具備了更優(yōu)異的效能及功耗上的提升。為配合系統(tǒng)單晶片設(shè)計(jì)公司不同的電源需求，此制程提供了多個電壓選項(xiàng)：1.8V，2.5V和2.5 /3.3V。而28HPM高介電質(zhì)金屬閘(High-k/Metal Gate)制程，則提供了臨界電壓選項(xiàng)、記憶體儲存單元和降頻/超頻功能，有助于系統(tǒng)單晶片設(shè)計(jì)公司大幅提高產(chǎn)品整體效能和電池續(xù)航力。

Kilopass與聯(lián)電的合作關(guān)系開始于2010年的聯(lián)華電子40LP制程，現(xiàn)已完成推出。隨著客戶對其他制程需求的增加，兩家公司決定進(jìn)一步于130/110/55nm制程平臺上提供反熔絲嵌入式非揮發(fā)性記憶體(anti-fuse embedded NVM)，也已在2012年完成。此次的新協(xié)議案，則將雙方夥伴關(guān)系擴(kuò)展到28奈米制程平臺。