聯(lián)電（2303）昨（28）日宣布與半導(dǎo)體邏輯非揮發(fā)性存儲(chǔ)器（NVM）矽智財(cái)領(lǐng)導(dǎo)廠商Kilopass簽署技術(shù)開發(fā)協(xié)議，雙方針對(duì)28納米先進(jìn)制程技術(shù)合作，讓聯(lián)電加速生產(chǎn)可攜式裝置產(chǎn)品系統(tǒng)單芯片與消費(fèi)性電子為主的的28納米產(chǎn)品。
聯(lián)電28納米預(yù)計(jì)年底產(chǎn)生小量營收，目前正在試產(chǎn)。聯(lián)電客戶工程暨矽智財(cái)研發(fā)設(shè)計(jì)支持副總簡山杰表示，與Kilopass合作，可確保客戶在28納米制程可采用聯(lián)電eFlash、eE2PROM、eMTP、eOTP和eFuse的矽智財(cái)，也能獲取最佳第三方廠商之非揮發(fā)性存儲(chǔ)器矽智財(cái)。

這項(xiàng)合約將使Kilopass的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器矽智財(cái)，可使用在聯(lián)電兩個(gè)28納米先進(jìn)制程平臺(tái)上，分別為高介電質(zhì)金屬閘（High-k/Metal Gate）的28納米高效能芯片（HPM），以及多晶矽（Poly /SiON）28低耗能（HLP）的28納米芯片。

聯(lián)電表示，目前公司推出的28納米制程芯片，閘極密度為40納米制程的兩倍，其中具成本效益的28HLP多晶矽制程，與業(yè)界其它28納米多晶矽制程相比，具備更優(yōu)異的效能。此外，這個(gè)制程也比同業(yè)提供多個(gè)電壓選項(xiàng)，包括：1.8V，2.5V和2.5 /3.3V。而28HPM高介電質(zhì)金屬閘制程，聯(lián)電也提供臨界電壓選項(xiàng)、存儲(chǔ)器儲(chǔ)存單元和降頻/超頻功能。