晶圓龍頭臺(tái)積電先進(jìn)制程產(chǎn)能擴(kuò)建速度一代比一代快，臺(tái)積電12寸營(yíng)運(yùn)資深副總王建光昨（9）日表示，28納米主力廠房中科Fab15新一期（P3與P4）的產(chǎn)能已在本（5）月投產(chǎn)，28納米年底月產(chǎn)能將上看10萬片，較去年底大增一倍，將達(dá)到今年28納米總產(chǎn)能將較去年大增三倍的目標(biāo)。
臺(tái)積電28納米從2010年6月開始投產(chǎn)后，兩年多來市占高居不下，雖然市場(chǎng)仍高度關(guān)注三星、格羅方德、聯(lián)電等競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的卡位進(jìn)度，但臺(tái)積電28納米占第1季營(yíng)收24%，已是營(yíng)收占比最高的制程來源，也是今年?duì)I收成長(zhǎng)的主要?jiǎng)幽堋?br>
王建光表示，目前臺(tái)積電28納米的量產(chǎn)片數(shù)，是40納米的兩倍；而Fab15廠第一、二期僅用八個(gè)月的時(shí)間，就建置五萬片的月產(chǎn)能規(guī)模，如今第三、四期只需五個(gè)月就可再建置另一個(gè)五萬片月產(chǎn)能。

臺(tái)積電提供的28納米制程，主要應(yīng)用為智能手機(jī)、平板計(jì)算機(jī)的行動(dòng)應(yīng)用處理器，依照中低階需求不同，有傳統(tǒng)的多晶矽閘極制程（Poly Sion）與高階的高介電常數(shù)金屬閘極（HKMG）制程，預(yù)計(jì)今年第3季HKMG的高階產(chǎn)能將超越傳統(tǒng)的Poly Sion制程 ，有助進(jìn)一步拉升毛利率。

除28納米，王建光也表示，20納米目前已投注逾2,000名人力在新竹Fab12與南科Fab14廠，F(xiàn)ab12第六期已預(yù)計(jì)明年量產(chǎn)20納米產(chǎn)品；Fab14第五、六、七期則預(yù)計(jì)生產(chǎn)20納米與16納米，F(xiàn)ab 12第7期則將做為10納米、7納米研發(fā)量產(chǎn)基地。

在18寸晶圓部分，王建光透露近期拜訪客戶后，確定18寸晶圓所需的設(shè)備工具可于2016年就緒，臺(tái)積電預(yù)計(jì)2016至2017 年設(shè)置試產(chǎn)線（Pilot-line），并將以10納米或7納米的制程量產(chǎn)。

此外，王建光強(qiáng)調(diào)，臺(tái)積電也會(huì)續(xù)擴(kuò)特殊制程的產(chǎn)能，包括CIS、MEMS等每年都會(huì)增加20%至40%產(chǎn)能。