三維(3D)晶片堆疊可望成為半導體整合的未來。然而，目前針對內部分層的散熱問題仍懸而未決，從而推動業(yè)界轉向采用矽中介層。最近一款由Silex與BroadPak公司聯(lián)手開發(fā)的新式矽中介層技術，可望克服這項挑戰(zhàn)，使 3D 晶片整合導入量產(chǎn)。
這種一開始在晶片和基板中間插入矽中介層的封裝方式稱為 2.5D 技術，但由于晶片與矽中介層采用并排布局，并透過矽穿孔(TSV)技術，因而實現(xiàn)了晶片與基板間的3D互連。截至目前為止，只有臺積電(TSMC)是唯一能夠提供量產(chǎn)中介層的供應商，而賽靈思(Xilinx)則是其唯一公開發(fā)布的客戶。最近，另一家代工廠Silex Microsystems以及一家 3D 整合供應商BroadPak聯(lián)手針對大眾市場推出新的矽中介層解決方案。

Silex Microsystems行銷與策略聯(lián)盟副總裁Peter Himes表示：「大多數(shù)公司都缺乏整合的技術與方法，而目前的解決方案又過于昂貴且建置風險高?！?br>
據(jù)市場研究公司Yole Developement預測，在未來的五年內，矽中介層市場將以88%的年成長率(CAGR)成長。所有的大型半導體制造商正致力于尋求提升其3D整合能力，但除非解決散熱問題，否則矽中介層仍是目前實現(xiàn)3D的唯一出路。Silex與BroadPak公司宣稱，透過他們開發(fā)的矽中介層新方法，能夠克服成本、工程、可靠性與供應鏈等目前阻礙大量市場采用的瓶頸。

BroadPak公司總裁兼執(zhí)行長Farhang Yazdani說：「截至目前為止，矽中介層技術已受限于幾家公司。因此，BroadPak與Silex公司開發(fā)出一種業(yè)界正引頸期盼的技術解決方案與供應鏈基礎架構?！?br>

Silex/BroadPak的矽中介層技術透過矽穿孔(TSV)，讓多個晶片在一個共同的基板上實現(xiàn)3D互連。
（來源：BroadPak）

Silex公司已經(jīng)利用這種矽中介層實現(xiàn) ASIC 與專用 MEMS 晶片的互連了，而此次與BroadPak的合作，則象征首次為半導體制造商推出基于該技術的產(chǎn)品。兩家公司聯(lián)手開發(fā)的矽中間層技術不但可實現(xiàn)大量制造，還具備許多 3D 晶片堆疊的優(yōu)勢，包括增加頻寬、降低延遲以及降低系統(tǒng)功耗等。

Silex與BroadPak公司建議，該新式矽中介層技術符合功率、混合訊號、連網(wǎng)、系統(tǒng)單晶片(SoC)、微控制器以及其他嵌入式應用。該矽中介層解決方案包括協(xié)同設計與特性表征服務、熱應力和訊號完整性等性能評估，以及一個完整的的供應鏈。


Silex/BroadPak聯(lián)手開發(fā)矽中介層技術
（來源：BroadPak）

編譯：Susan Hong

(參考原文：3-D interposers stack chips，by R Colin Johnson)