隨著移動產業(yè)的發(fā)展，業(yè)界對更高的半導體制程的需求再度進入了一個高速發(fā)展的階段。作為全球半導體代工市場的老大，臺積電的工藝發(fā)展情況關系到眾多合作廠商的產品，因此臺積電的一舉一動也頗受關注。日前，臺積電宣布已經決定將16nm FinFET工藝的試產時間從2014年提前到2013年底，并且希望能在2015年底用極紫外光刻技術制造10nm的芯片。



TSMC現有的28nm技術300mm晶圓

在年初舉行的半導體大會上，臺積電就展示了其FinFET工藝晶圓，不過當時臺積電并沒有透露FinFET工藝計劃將提前。

臺積電首席技術官孫元成(Jack Sun)表示：“我們對16nm FinFET工藝在明年的黃金時代(量產)充滿信心?！彼€披露，16nm目前正在使用128Mb SRAM進行測試，核心電壓0.8V，I/O電壓1.8V，良品率“超出預期”。標準單元、內存單元等基礎性IP都已經做好了準備，但是關鍵內部模塊的測試要到6月份才會開始。

據悉，64-bit ARMv8核心在16nm工藝上的性能將比28nm 32-bit ARM A9高出多達90%，而相比之下20nm A15核心只能提速大約40%。

未來一段時間，半導體代工行業(yè)的升級競賽將在三星、臺積電以及GF之間上演，究竟誰能夠更早的拿出20nm甚至16nm技術將關系到整個半導體產業(yè)的前進步伐。