晶圓代工龍頭臺積電本周四（18日）將召開法說會，上周于美國圣荷西（San Jose）舉辦的2013年技術(shù)論壇中，卻意外宣示包括16納米鰭式場效晶體管（FinFET）、極紫外光（EUV）等新技術(shù)研發(fā)及投產(chǎn)進(jìn)度全部往前拉。

業(yè)界認(rèn)為，臺積電將新技術(shù)投產(chǎn)進(jìn)度時程全面提前，除了新技術(shù)研發(fā)有所突破外，另一戰(zhàn)略考量，即是為了迎戰(zhàn)聲勢如日中天的韓國三星，以及即將由薄紗后走到臺前的英特爾。

今年是臺積電傾全力拉高28納米產(chǎn)能的一年，原本規(guī)劃明年才開始拉升20納米產(chǎn)能，但20納米量產(chǎn)時間點(diǎn)可望提前至今年底開始。臺積電在竹科12寸廠Fab12、南科12寸廠Fab14，已有20個20納米芯片完成設(shè)計定案（tape-out），且多數(shù)為新一代ARM Cortex A15處理器核心的芯片。業(yè)界人士指出，當(dāng)中自然包括了蘋果下一代A7處理器。

臺積電原本2015年后才真正進(jìn)入16納米FinFET世代，但現(xiàn)在已經(jīng)確定今年底開始試產(chǎn)第一片16納米FinFET制程晶圓，應(yīng)是投產(chǎn)首顆64位元ARM Cortex-A57架構(gòu)及ARMv8指令集設(shè)計芯片。

由此來看，明年臺積電就會進(jìn)入16納米FinFET世代，比原本預(yù)期早了一年。臺積電雖然與英特爾、三星等共同加入了微影設(shè)備大廠荷商艾司摩爾（ASML）的「客戶聯(lián)合投資專案」，但去年底時，仍認(rèn)為EUV技術(shù)尚未成熟，16納米及10納米仍會用到多重曝光浸潤式（Multi-Patterning Immersion）微影技術(shù)，7納米后才會進(jìn)入EUV世代，約在2016~2017年。

不過，臺積電指出，首片采用EUV微影投片的10納米晶圓，可望在2015年底開始投產(chǎn)出貨。雖然臺積電仍在評估電子束微影（e-beam）可行性，但由此來看，臺積電EUV制程將提前1~2年時間進(jìn)入生產(chǎn)階段。

臺積電將20納米SoC制程、16納米FinFET制程、EUV微影制程等生產(chǎn)時程全面往前拉，原本預(yù)估今年90億美元資本支出顯然不足，外資分析師均認(rèn)為，臺積電今年資本支出拉高到100億美元已無可避免，明年可能還會拉高到100億美元以上，才能將先進(jìn)制程投產(chǎn)時間點(diǎn)順利提前。