晶圓代工龍頭臺(tái)積電（2330）拉高今年資本支出至100億美元的機(jī)率大增，第2季開始沖刺擴(kuò)建20納米產(chǎn)能。

由于新一代20納米制程改采多重曝影（Multi-Patterning）技術(shù)及后閘極（gate-last）技術(shù)，得新增2個(gè)新的化學(xué)機(jī)械研磨（CMP）制程，在臺(tái)積電擴(kuò)大設(shè)備及材料供應(yīng)本土化策略下，電子束檢測設(shè)備廠漢微科（3658）、鉆石碟及再生晶圓供應(yīng)商中砂（1560）等已搶得先機(jī)拿下臺(tái)積電大訂單。

臺(tái)積電28納米制程提供多種選項(xiàng)，依材料不同主要可分為高介電金屬閘極（HKMG）及多晶矽氮氧化矽（Poly/SiON）等兩大類，但臺(tái)積電20納米一改過去提供多種版本制程的慣例，只提供HKMG的系統(tǒng)單芯片（SoC）單一制程，此舉能把研發(fā)資源集中開發(fā)最有利的制程技術(shù)，有效降低制程復(fù)雜度及成本。

由于20納米以下先進(jìn)制程的研發(fā)及產(chǎn)能建置投資愈來愈高，臺(tái)積電的20納米擁有另一特性，就是在設(shè)備及材料端，拉高與次世代16納米鰭式場效晶體管（FinFET）制程的共通性。也因此，臺(tái)積電在20納米制程上有許多新的技術(shù)突破，包括持續(xù)導(dǎo)入后閘極技術(shù)，以及采用浸潤式多重曝影技術(shù)等。

由于客戶端對(duì)于20納米制程需求強(qiáng)勁，臺(tái)積電要在最短時(shí)間內(nèi)完成產(chǎn)能建置并投入量產(chǎn)，就得拉緊與臺(tái)灣當(dāng)?shù)卦O(shè)備及材料供應(yīng)商的合作，提高設(shè)備及材料的本土自給率。而配合20納米在第2季后進(jìn)入擴(kuò)產(chǎn)沖刺階段，包括漢微科、中砂、家登、華立、崇越等合作伙伴，均名列臺(tái)積電的20納米生態(tài)系統(tǒng)成員，其中又以漢微科及中砂可望在今年就提前受惠接單。

由于20納米需要高達(dá)60多層光罩，傳統(tǒng)光學(xué)檢測在28納米以下有物理性瓶頸，所以臺(tái)積電20納米需要搭載新的電子束檢測設(shè)備，每1萬片產(chǎn)能要搭配1臺(tái)，漢微科等于是訂單在握，而漢微科新開發(fā)的多重矩陣式檢測設(shè)備也將成為臺(tái)積電采購項(xiàng)目之一。

另外，臺(tái)積電采用后閘極技術(shù)后，20納米晶圓需新增2個(gè)新的CMP制程，臺(tái)積電最大的鉆石碟供應(yīng)商中砂，成為最大受惠者。事實(shí)上，臺(tái)積電40納米制程每2天需更換一次鉆石碟，28納米1天需更換一次，但20納米因光罩層數(shù)更多，1天內(nèi)就需更換2~3次，中砂今、明兩年的鉆石碟接單可望出現(xiàn)倍數(shù)成長。