臺(tái)積電供應(yīng)鏈:無轉(zhuǎn)單或砍單問題
[導(dǎo)讀]近期市場上有關(guān)臺(tái)積電(2330)被對(duì)手格羅方德(GlobalFoundries)、聯(lián)電等低價(jià)搶單、或是大客戶大砍第2季投片量等利空消息頻傳,臺(tái)積電雖不對(duì)市場傳言有所評(píng)論及回應(yīng),但設(shè)備業(yè)者表示,并無砍單或搶單問題,其實(shí)只是
近期市場上有關(guān)臺(tái)積電(2330)被對(duì)手格羅方德(GlobalFoundries)、聯(lián)電等低價(jià)搶單、或是大客戶大砍第2季投片量等利空消息頻傳,臺(tái)積電雖不對(duì)市場傳言有所評(píng)論及回應(yīng),但設(shè)備業(yè)者表示,并無砍單或搶單問題,其實(shí)只是客戶由45/40納米微縮到28納米的制程轉(zhuǎn)換短期現(xiàn)象。
包括高通、聯(lián)發(fā)科、輝達(dá)(NVIDIA)等臺(tái)積電大客戶,3月以來開始減少45/40納米投片,但因臺(tái)積電中科Fab15第3期28納米新產(chǎn)能要等到4月后才會(huì)大量開出,所以,上游客戶4月后才會(huì)大量轉(zhuǎn)入28納米投片。也因此,3~4月間出現(xiàn)了制程轉(zhuǎn)換的投片空窗期,但格羅方德及聯(lián)電28納米良率拉高,才被外界誤以為是被砍單或搶單。
設(shè)備業(yè)者表示,因?yàn)?8納米的低功耗及芯片尺寸更小,每片晶圓可較45/40納米增加40%左右裸晶,所以隨著客戶加速制程微縮,減少40納米投片但改以28納米投片,在維持成品芯片產(chǎn)出量不變情況下,客戶的總投片量本來就會(huì)減少,可能因此被市場誤以為是客戶砍單或搶單,但事實(shí)情況并非如此。
由臺(tái)積電28納米主要客戶近期動(dòng)作來看,高通正在將Snapdragon S3/S4產(chǎn)品線由45納米轉(zhuǎn)為28納米,新一代Snapdragon 200/400/600/800則會(huì)在4月后拉高28納米投片,以因應(yīng)第2季后來自三星及蘋果的拉貨潮。
輝達(dá)近期正在降低40納米Tegra 3投片量,但4月后將開始增加28納米Tegra 4/4i的投片。輝達(dá)執(zhí)行長黃仁勛日前法說會(huì)中亦提及,因?yàn)橹悄苄褪謾C(jī)或平板客戶都在等待新芯片,舊芯片的銷售自然下滑,屬于新舊產(chǎn)品交替期間正?,F(xiàn)象。
包括高通、聯(lián)發(fā)科、輝達(dá)(NVIDIA)等臺(tái)積電大客戶,3月以來開始減少45/40納米投片,但因臺(tái)積電中科Fab15第3期28納米新產(chǎn)能要等到4月后才會(huì)大量開出,所以,上游客戶4月后才會(huì)大量轉(zhuǎn)入28納米投片。也因此,3~4月間出現(xiàn)了制程轉(zhuǎn)換的投片空窗期,但格羅方德及聯(lián)電28納米良率拉高,才被外界誤以為是被砍單或搶單。
設(shè)備業(yè)者表示,因?yàn)?8納米的低功耗及芯片尺寸更小,每片晶圓可較45/40納米增加40%左右裸晶,所以隨著客戶加速制程微縮,減少40納米投片但改以28納米投片,在維持成品芯片產(chǎn)出量不變情況下,客戶的總投片量本來就會(huì)減少,可能因此被市場誤以為是客戶砍單或搶單,但事實(shí)情況并非如此。
由臺(tái)積電28納米主要客戶近期動(dòng)作來看,高通正在將Snapdragon S3/S4產(chǎn)品線由45納米轉(zhuǎn)為28納米,新一代Snapdragon 200/400/600/800則會(huì)在4月后拉高28納米投片,以因應(yīng)第2季后來自三星及蘋果的拉貨潮。
輝達(dá)近期正在降低40納米Tegra 3投片量,但4月后將開始增加28納米Tegra 4/4i的投片。輝達(dá)執(zhí)行長黃仁勛日前法說會(huì)中亦提及,因?yàn)橹悄苄褪謾C(jī)或平板客戶都在等待新芯片,舊芯片的銷售自然下滑,屬于新舊產(chǎn)品交替期間正?,F(xiàn)象。





