認(rèn)臺(tái)積攻20奈米目前仍具逐步發(fā)展及選擇優(yōu)勢(shì) 但三星若成功量產(chǎn)14奈米產(chǎn)品 恐沖擊臺(tái)積在行動(dòng)裝置的優(yōu)勢(shì)


半導(dǎo)體三巨頭制程戰(zhàn)，美林證指三星若能在明年上半成功量產(chǎn)14奈米產(chǎn)品，恐沖擊臺(tái)積目前在行動(dòng)裝置的優(yōu)勢(shì)。
報(bào)系資料照半導(dǎo)體三巨頭臺(tái)積電(2330)、英特爾與三星的制程推進(jìn)之戰(zhàn)升溫，美林證券指出，臺(tái)積電選擇循序漸進(jìn)走20奈米制程，有利逐步發(fā)展三閘極(tri-gate)電晶體FinFET元件技術(shù)的發(fā)展，與提供更多客戶制程選擇，但英特爾與三星都選擇直接躍進(jìn)至14奈米FinFET技術(shù)，若三星能在明年上半年成功量產(chǎn)此項(xiàng)技術(shù)產(chǎn)品，恐將沖擊臺(tái)積電在行動(dòng)裝置目前具有的優(yōu)勢(shì)。
美林證券指出，半導(dǎo)體巨頭在20奈米與FinFET技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)將升溫，臺(tái)積電預(yù)計(jì)將在明年量產(chǎn)20奈米產(chǎn)品，并在2015年量產(chǎn)16奈米FinFET產(chǎn)品，而英特爾與三星目標(biāo)則是分別在今明兩年量產(chǎn)14奈米FinFET技術(shù)產(chǎn)品，從目前狀況來看，臺(tái)積電將可望在明年初獲得蘋果轉(zhuǎn)單而持續(xù)增加占有率，但美林證券也不諱言，若三星成功在明年上半年量產(chǎn)14奈米FinFET，則可望取得競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。

對(duì)于臺(tái)積電采取穩(wěn)扎穩(wěn)打不跳過20奈米策略，美林證券分析，臺(tái)積電此舉將能同步學(xué)習(xí)與發(fā)展FinFET技術(shù)，并且可望以20奈米分食蘋果單，加上可以提供客戶更多元與平順的制程技術(shù)選擇。

不過，除了積極切入晶圓代工領(lǐng)域的英特爾已具備14奈米的技術(shù)優(yōu)勢(shì)外，蘋果單遭搶的三星也同樣打算以直接推進(jìn)14奈米方式大躍進(jìn)，三星已發(fā)布成功與ARM開發(fā)出14奈米FinFET技術(shù)產(chǎn)品，目標(biāo)將在明年上半年放量，美林證券表示，若三星此目標(biāo)成功達(dá)成，將在產(chǎn)品成本與效能上具有更多優(yōu)勢(shì)，恐沖擊臺(tái)積電目前在行動(dòng)裝置市場(chǎng)的優(yōu)越地位。