電裝、豐田中央研究所、昭和電工在于東京有明國際會展中心舉行的“nano tech 2013”（第12屆國際納米技術綜合展）上，展出了共同開發(fā)的口徑為6英寸的SiC基板。該基板的特點在于位錯（缺陷）密度為數(shù)千個/cm2，“比市售SiC基板低一位數(shù)”（電裝解說員）。這三家公司的目標是，在2014年度內(nèi)，“先開發(fā)完成可供家電等領域實際使用的6英寸基板”（電裝解說員）。

展出的6英寸基板使用的是在沒形成外延膜的裸晶圓上使母材晶體（種晶）生長的“RAF生長法”。RAF生長法是電裝和豐田中央研究所于2004年共同開發(fā)出的SiC結晶生長技術，通過沿位錯和平行方向切割晶體、使晶體再生長來減少位錯。展品的數(shù)千個/cm2的位錯密度“如果用于SiC-SBD（肖特基勢壘二極管），是能夠以高成品率來制造的水平”（電裝解說員）。今后將以應用于SiC-MOSFET等為目標，進一步減少位錯缺陷。

目前市售SiC基板的價格方面，4英寸產(chǎn)品為20萬～50萬日元左右，最近開始樣品供貨的6英寸產(chǎn)品的價格估計將遠高于這一水平。電裝等三家公司今后將提高晶體生長速度、改進晶圓的切割方法，以確立能夠低成本量產(chǎn)6英寸產(chǎn)品的技術。

電裝解說員稱， 近幾年，鐵路及空調(diào)等領域開始采用SiC器件，因此“汽車業(yè)對SiC的看法有所改變，采用的可能性不斷加大”。估計最快在2015年就會出現(xiàn)配備SiC器件的技術測評用成車。解說員還表示，SiC器件要想廣泛應用到發(fā)動機控制部分等，“我個人估計是在2019～2020年”。（記者：大下淳一，《日經(jīng)電子》）