晶圓代工龍頭臺(tái)積電 (2330)法說會(huì)于上周落幕，釋出今年資本支出將為90億美元的訊息，而半導(dǎo)體的另一巨擘英特爾INTEL也正式宣布，今年資本支出將為125-135億美元，遠(yuǎn)高于外界預(yù)期的100億美元水準(zhǔn)。而三星雖仍未正式宣布今年的資本支出金額，但從目前帳面上攤開的數(shù)字看來，可看出半導(dǎo)體巨頭們的資本支出戰(zhàn)爭(zhēng)已趨向白熱化，除清一色較去年飆高，先進(jìn)制程和18吋晶圓，成為兵家必爭(zhēng)的戰(zhàn)場(chǎng)外，也引發(fā)外界對(duì)英特爾是否將在晶圓代工搶分一杯羹的聯(lián)想。不過分析師多認(rèn)為，在英特爾愿意降低毛利率來跟晶圓代工廠搶訂單之前，對(duì)晶圓廠都不致形成重大的威脅。
若以英特爾于上周公布的去年Q4財(cái)報(bào)數(shù)字來看，其本業(yè)毛利率雖較去年Q3的65.4%下滑，但仍維持在59%的水準(zhǔn)。然這個(gè)數(shù)字和臺(tái)積電去年Q4毛利率的47.2%間，仍有段不小差距。
英特爾執(zhí)行長(zhǎng)歐德寧指出，在今年125-135億美元的資本支出當(dāng)中，約有20億美元用于18吋晶圓廠布建。另外，公司的資本支出還會(huì)用于將竣工的14 奈米產(chǎn)線廠房，并將開始部署10奈米產(chǎn)線廠房的建造和裝機(jī)，這些都是其資本支出成長(zhǎng)幅度大于預(yù)期的原因。英特爾去年的資本支出，約落在110-116億美元間。
關(guān)于英特爾今年資本支出的升高，是否將對(duì)晶圓廠形成不小的壓力？對(duì)此摩根大通觀察，暫時(shí)還不會(huì)(not yet)對(duì)晶圓廠產(chǎn)生沖擊，主要是英特爾資本支出中超乎外界預(yù)期的部分，將是用于18吋(450mm)晶圓廠的布建，而英特爾擴(kuò)產(chǎn)的原因，事實(shí)上也不是要明擺著跟晶圓廠對(duì)打，而是以進(jìn)一步將其事業(yè)觸角伸向平板等新領(lǐng)域的可能性較高。加上英特爾本身的毛利率和晶圓代工產(chǎn)業(yè)間有一段差距，因此并不認(rèn)為英特爾資本支出的增加，就會(huì)導(dǎo)致晶圓代工產(chǎn)業(yè)的市場(chǎng)蒙受侵蝕。
綜觀臺(tái)積電90億美元的資本支出用途，可發(fā)現(xiàn)有88%是用于28/20奈米/16奈米FinFET制程的產(chǎn)能布建，而5%則用于RD研發(fā)(從20奈米一直到10奈米都有)，2%則用于包括嵌入式、電源管理等特殊制程。不過，其中也有1%是用于日前于竹南的購(gòu)地，根據(jù)臺(tái)積電初步規(guī)劃，這塊地將做為18吋晶圓廠的研發(fā)基地之用。
分析師則認(rèn)為，90億美元的數(shù)字可說是「樂觀中偏保守」，主要是若考量到臺(tái)積電今年北、中、南將同步展開擴(kuò)產(chǎn)，包括28奈米HKMG制程的需求仍將續(xù)旺(因此會(huì)持續(xù)以中科Fab 15為基地?cái)U(kuò)產(chǎn))，而20奈米制程將于今年底量產(chǎn)，也因此南科 Fab 14的擴(kuò)產(chǎn)也會(huì)更緊鑼密鼓展開，這個(gè)數(shù)字并不令人意外。不過也可看出，臺(tái)積電今年擴(kuò)產(chǎn)的重點(diǎn)仍將是28/20奈米等先進(jìn)制程，現(xiàn)階段仍將以滿足行動(dòng)通訊客戶的需求為當(dāng)務(wù)之急。畢竟，若按照臺(tái)積電規(guī)劃，將于2018年才開始以10奈米量產(chǎn)18吋晶圓產(chǎn)線。