三星與Synopsys合作實現(xiàn)首次14納米FinFET成功流片
[導讀]加利福尼亞州山景城，2013年1月—
亮點：
? 該里程碑有助于加速對FinFET技術(shù)的采用，以實現(xiàn)更快和更高能效的系統(tǒng)級芯片（SoC）
? 該合作為3D器件建模和物理設計規(guī)則支持奠定了基礎
? 測試芯片驗證了FinFET工藝和
加利福尼亞州山景城，2013年1月—
亮點：
? 該里程碑有助于加速對FinFET技術(shù)的采用，以實現(xiàn)更快和更高能效的系統(tǒng)級芯片（SoC）
? 該合作為3D器件建模和物理設計規(guī)則支持奠定了基礎
? 測試芯片驗證了FinFET工藝和Synopsys? DesignWare?嵌入式存儲器的成功采用
為芯片和電子系統(tǒng)加速創(chuàng)新提供軟件、知識產(chǎn)權(quán)（IP）及服務的全球性領先供應商新思科技公司（Synopsys, Inc.， 納斯達克股票市場代碼：SNPS）日前宣布：該公司與三星在FinFET技術(shù)上的多年合作已經(jīng)實現(xiàn)了一個關鍵性的里程碑，即采用三星的14LPE工藝成功實現(xiàn)了首款測試芯片的流片。雖然FinFET工藝較傳統(tǒng)的平面工藝在功耗與性能上明顯出超，但從二維晶體管到三維晶體管的轉(zhuǎn)變帶來了幾種新的IP及EDA工具挑戰(zhàn)，如建模就是其中的一大挑戰(zhàn)。兩公司多年的合作為FinFET器件的3D寄生參數(shù)提取、電路仿真和物理設計規(guī)則支持提供了基礎性的建模技術(shù)。而Synopsys的綜合解決方案，涵蓋嵌入式存儲器、物理設計、寄生參數(shù)提取、時序分析及簽核（signoff），全部構(gòu)建于雙方合作成果的基礎之上。
“FinFET晶體管可以實現(xiàn)更低的功耗和更高的器件性能，但是它們也同時帶來了嚴峻的挑戰(zhàn)，”三星電子器件解決方案部負責系統(tǒng)LSI底層架構(gòu)設計中心的副總裁Kyu-Myung Choi博士說道?！拔覀冎赃x擇Synopsys作為我們的FinFET技術(shù)合作伙伴來解決這些挑戰(zhàn)，是因為我們在20納米和其它節(jié)點上的成功合作記錄。我們將繼續(xù)匯聚我們的專有技術(shù)來提供創(chuàng)新的FinFET解決方案?！?br>Synopsys的具備FinFET能力的IP
Synopsys與三星通過緊密合作開發(fā)了一款測試芯片，它可以用來驗證三星先進的14納米FinFET工藝以及Synopsys的DesignWare嵌入式存儲器，后者采用了Synopsys 的STAR（自測試和自修復）存儲系統(tǒng)解決方案。該測試芯片實現(xiàn)了仿真模型與FinFET工藝的相互關聯(lián)，同時包含了測試結(jié)構(gòu)、標準單元、一個鎖相環(huán)（PLL）以及多個嵌入式SRAM。存儲器實體包括專為在非常低的電壓下運行而設計的高密度SRAM和可驗證工藝性能的高速SRAM。
Synopsys面向FinFET工藝的設計工具
從平面到基于FinFET的3D晶體管的轉(zhuǎn)變是一項重大改變，它需要工具開發(fā)商、晶圓代工廠和早期采用者之間緊密的技術(shù)協(xié)作，以提供一種強大的解決方案。Synopsys的高精確度建模技術(shù)為具備FinFET的Galaxy? Implementation Platform實現(xiàn)平臺奠定了基礎。該平臺包括IC Compiler?物理設計、IC Validator物理驗證、StarRC?寄生參數(shù)提取、SiliconSmart特征描述、用于FastSPICE仿真的CustomSim?和FineSim以及HSPICE?器件建模和電路仿真。
“三星電子一直是我們共同投入和投資的一個核心伙伴，共同致力于為FinFET技術(shù)開發(fā)完整的解決方案，” Synopsys高級副總裁兼設計實現(xiàn)部總經(jīng)理Antun Domic說道?！癝ynopsys與三星的廣泛合作使我們能夠提供業(yè)內(nèi)頂級的技術(shù)和IP，以幫助設計師們實現(xiàn)FinFET晶體管設計的全部潛在優(yōu)勢。”
亮點：
? 該里程碑有助于加速對FinFET技術(shù)的采用，以實現(xiàn)更快和更高能效的系統(tǒng)級芯片（SoC）
? 該合作為3D器件建模和物理設計規(guī)則支持奠定了基礎
? 測試芯片驗證了FinFET工藝和Synopsys? DesignWare?嵌入式存儲器的成功采用
為芯片和電子系統(tǒng)加速創(chuàng)新提供軟件、知識產(chǎn)權(quán)（IP）及服務的全球性領先供應商新思科技公司（Synopsys, Inc.， 納斯達克股票市場代碼：SNPS）日前宣布：該公司與三星在FinFET技術(shù)上的多年合作已經(jīng)實現(xiàn)了一個關鍵性的里程碑，即采用三星的14LPE工藝成功實現(xiàn)了首款測試芯片的流片。雖然FinFET工藝較傳統(tǒng)的平面工藝在功耗與性能上明顯出超，但從二維晶體管到三維晶體管的轉(zhuǎn)變帶來了幾種新的IP及EDA工具挑戰(zhàn)，如建模就是其中的一大挑戰(zhàn)。兩公司多年的合作為FinFET器件的3D寄生參數(shù)提取、電路仿真和物理設計規(guī)則支持提供了基礎性的建模技術(shù)。而Synopsys的綜合解決方案，涵蓋嵌入式存儲器、物理設計、寄生參數(shù)提取、時序分析及簽核（signoff），全部構(gòu)建于雙方合作成果的基礎之上。
“FinFET晶體管可以實現(xiàn)更低的功耗和更高的器件性能，但是它們也同時帶來了嚴峻的挑戰(zhàn)，”三星電子器件解決方案部負責系統(tǒng)LSI底層架構(gòu)設計中心的副總裁Kyu-Myung Choi博士說道?！拔覀冎赃x擇Synopsys作為我們的FinFET技術(shù)合作伙伴來解決這些挑戰(zhàn)，是因為我們在20納米和其它節(jié)點上的成功合作記錄。我們將繼續(xù)匯聚我們的專有技術(shù)來提供創(chuàng)新的FinFET解決方案?！?br>Synopsys的具備FinFET能力的IP
Synopsys與三星通過緊密合作開發(fā)了一款測試芯片，它可以用來驗證三星先進的14納米FinFET工藝以及Synopsys的DesignWare嵌入式存儲器，后者采用了Synopsys 的STAR（自測試和自修復）存儲系統(tǒng)解決方案。該測試芯片實現(xiàn)了仿真模型與FinFET工藝的相互關聯(lián)，同時包含了測試結(jié)構(gòu)、標準單元、一個鎖相環(huán)（PLL）以及多個嵌入式SRAM。存儲器實體包括專為在非常低的電壓下運行而設計的高密度SRAM和可驗證工藝性能的高速SRAM。
Synopsys面向FinFET工藝的設計工具
從平面到基于FinFET的3D晶體管的轉(zhuǎn)變是一項重大改變，它需要工具開發(fā)商、晶圓代工廠和早期采用者之間緊密的技術(shù)協(xié)作，以提供一種強大的解決方案。Synopsys的高精確度建模技術(shù)為具備FinFET的Galaxy? Implementation Platform實現(xiàn)平臺奠定了基礎。該平臺包括IC Compiler?物理設計、IC Validator物理驗證、StarRC?寄生參數(shù)提取、SiliconSmart特征描述、用于FastSPICE仿真的CustomSim?和FineSim以及HSPICE?器件建模和電路仿真。
“三星電子一直是我們共同投入和投資的一個核心伙伴，共同致力于為FinFET技術(shù)開發(fā)完整的解決方案，” Synopsys高級副總裁兼設計實現(xiàn)部總經(jīng)理Antun Domic說道?！癝ynopsys與三星的廣泛合作使我們能夠提供業(yè)內(nèi)頂級的技術(shù)和IP，以幫助設計師們實現(xiàn)FinFET晶體管設計的全部潛在優(yōu)勢。”
下載文檔
