據(jù)國外媒體報道，三星宣布與 ARM 簽署了一項與 14nm FinFET 工藝技術和 IP 庫相關的合作協(xié)議，并且還成功研發(fā)了一些基于 14nm FinFET 工藝的測試處理器芯片。

三星稱 14nm FinFET 技術是未來發(fā)展的方向， 未來的 Exynos 處理器將擁有 PC 式低功耗性能。此外，三星還與合作伙伴共同完成了ARM Cortex-A7 處理器、ARM big.LITTLE 配置和 SRAM 芯片的研發(fā)測試工作。

三星表示，相比目前的32/28nm HKMG工藝，14nm FinFET工藝會進一步大大改善SoC芯片的漏電率和動態(tài)功耗。在未來的 Exynos 處理器中，三星將采用 ARM big.LITTLE 處理技術和 14nm 工藝制程，這意味著三星未來的處理器將更加高效。

為了方便客戶，三星還發(fā)布了工藝設計包 PDK，允許他們開始基于 14nm FinFET 測試芯片設計模型或者展開其他產(chǎn)品設計工作。