美國(guó)GLOBALFOUNDRIES公司首席執(zhí)行官Ajit Manocha在“IEDM 2012”第二天的午宴（Luncheon）上發(fā)表了題為“Is the Fabless/Foundry Model Dead? We Don't Think So. Long Live Foundry 2.0 !”的演講。他指出今后代工企業(yè)與客戶(hù)企業(yè)的密切合作將越來(lái)越重要，并表明了推動(dòng)極限微細(xì)化和450mm晶圓大口徑化的意愿。

Manocha首先指出，隨著移動(dòng)產(chǎn)品開(kāi)始拉動(dòng)半導(dǎo)體市場(chǎng)，尖端半導(dǎo)體的需求迅速擴(kuò)大。Manocha公布的調(diào)查數(shù)據(jù)表明，45～20nm工藝SoC的代工市場(chǎng)在2011～2016年將以年均37％的速度擴(kuò)大。

但可提供20nm工藝以后SoC技術(shù)的半導(dǎo)體廠(chǎng)商，Manocha表示“包括我們只有四家”。因此，在微細(xì)化技術(shù)和產(chǎn)能兩方面，這四家企業(yè)面臨的壓力越來(lái)越大。為滿(mǎn)足客戶(hù)要求，GLOBALFOUNDRIES今后“還將支持10nm工藝和7nm工藝”（Manocha）。該公司計(jì)劃2014年量產(chǎn)14nm工藝（金屬布線(xiàn)為20nm工藝），2015年量產(chǎn)10nm工藝，2017年量產(chǎn)7nm工藝。關(guān)于450mm晶圓的大口徑化，Manocha也指出“這對(duì)堅(jiān)持摩爾法則至關(guān)重要”，并表示將按照業(yè)內(nèi)步伐推動(dòng)大口徑化。

Manocha列舉了今后的開(kāi)發(fā)課題，其中有：（1）包括2.5D/3D IC在內(nèi)的封裝技術(shù)、（2）朝著450mm推動(dòng)大口徑化、（3）液浸及EUV（extreme ultraviolet）等光刻技術(shù)、（4）FinFET及完全耗盡型SOI（FDSOI）等器件技術(shù)。并指出要實(shí)現(xiàn)這些技術(shù)，需要全行業(yè)合作。

Manocha在演講后召開(kāi)了面向新聞媒體的圓桌會(huì)議。其中，Manocha介紹了美國(guó)紐約州新工廠(chǎng)“Fab8”的開(kāi)工情況。已開(kāi)始代工生產(chǎn)，正提供采用32nm工藝SOI技術(shù)的DRAM混載SoC技術(shù)。28nm工藝技術(shù)方面，也從多家企業(yè)獲得了在該工廠(chǎng)代工生產(chǎn)的訂單。“Fab8今后將成為20nm工藝和14nm工藝的生產(chǎn)基地。該工廠(chǎng)是在這些技術(shù)工藝需求即將進(jìn)一步擴(kuò)大的形勢(shì)下，在最佳時(shí)機(jī)開(kāi)工的”（Manocha）。（記者：大下 淳一，《日經(jīng)電子》）