【賽迪網(wǎng)訊】在半導(dǎo)體代工行業(yè)當(dāng)中，除了聲名顯赫的臺(tái)積電和GlobalFoundries兩家以外，聯(lián)電的名字可能有些人還不太熟悉，其實(shí)它同樣是代工行業(yè)不可忽視的力量。近日該公司就宣布，將會(huì)積極開發(fā)14nm工藝，和GlobalFoundries 14nm-XM技術(shù)類似，也采用20nm工藝的后端元素。
據(jù)其高管表示：“根據(jù)IBM FinFET技術(shù)授權(quán)，聯(lián)電決定在20nm工藝的基礎(chǔ)上開發(fā)14nm FinFET(場(chǎng)效應(yīng)晶體管)技術(shù)。這將是一個(gè)最優(yōu)化的兼顧低功耗和高性能的方案，對(duì)于雙重圖案光刻帶來的額外成本也能夠很好的起到抑制作用。”
另外，聯(lián)電自己的20nm工藝也要使用FinFET晶體管技術(shù)，同樣可以做到快速升級(jí)。
雖然聯(lián)電此次并未披露具體時(shí)間表，不過考慮到聯(lián)電的28nm HKMG工藝也要到2014年初才會(huì)量產(chǎn)，14nm FinFET則更遙遙無期，所以估計(jì)怎么也得2016-2017年了。