聯(lián)電(2303)執(zhí)行長孫世偉表示，40納米制程于今年底到達15%營收的內(nèi)部目標(biāo)可望提前完成。先進制程的28納米進度符合預(yù)期。此外，第四季將持續(xù)處分業(yè)外持股以緩和認(rèn)列日本子公司損失對損益的影響。
聯(lián)電公司指出，40納米制程芯片需求暢旺，營收貢獻從第二季9%成長至第三季的13%，年底到達15%營收的內(nèi)部目標(biāo)可望提前完成。
為提供客戶在蓬勃發(fā)展的觸控芯片領(lǐng)域最具競爭力的解決方案，聯(lián)電日前宣布推出創(chuàng)新的embedded Flash特殊制程技術(shù)平臺，已為數(shù)家觸控領(lǐng)導(dǎo)廠商采用并量產(chǎn)，聯(lián)電樂觀預(yù)期這些特殊制程技術(shù)將為聯(lián)電的成長注入動能。

針對28納米制程，孫世偉表示，28納米進度符合預(yù)期，其中依照聯(lián)電28納米設(shè)計套件(design-in)的產(chǎn)品良率持續(xù)提升中，首波28納米porting產(chǎn)品良率的提升經(jīng)過幾個月元件及制程參數(shù)之調(diào)整，已獲得顯著的進展。聯(lián)電也在第三季成功tape-out使用28納米high-k and metal-gate(gate-last)制程的移動通信產(chǎn)品，并陸續(xù)與包含28納米移動通信、運算，有線、無線網(wǎng)絡(luò)，數(shù)碼電視，資料儲存控制器以及可程序邏輯等應(yīng)用的客戶密切合作。同時，在IBM FinFET技術(shù)授權(quán)的基礎(chǔ)上，聯(lián)電決定積極投入14納米FinFET(+20nm metal)制程技術(shù)的開發(fā)。
此外，聯(lián)電第三季認(rèn)列日本子公司UMCJ清算損失約10.5億元，預(yù)計未來1-2季還會持續(xù)認(rèn)列損失，惟預(yù)估金額將會減少。另一方面，聯(lián)電第三季大舉處分業(yè)外投資，包括處分聯(lián)詠(3034)、原相(3227)等持股，挹注聯(lián)電第三季業(yè)外仍小賺8300萬元，降低清算UMCJ的沖擊。聯(lián)電第四季擬持續(xù)處分手上轉(zhuǎn)投資持股，來緩和認(rèn)列UMCJ損失對當(dāng)期損益的影響。