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[導(dǎo)讀]聯(lián)電(2303)執(zhí)行長孫世偉表示,40納米制程于今年底到達(dá)15%營收的內(nèi)部目標(biāo)可望提前完成。先進(jìn)制程的28納米進(jìn)度符合預(yù)期。此外,第四季將持續(xù)處分業(yè)外持股以緩和認(rèn)列日本子公司損失對(duì)損益的影響。 聯(lián)電公司指出,40納米

聯(lián)電(2303)執(zhí)行長孫世偉表示,40納米制程于今年底到達(dá)15%營收的內(nèi)部目標(biāo)可望提前完成。先進(jìn)制程的28納米進(jìn)度符合預(yù)期。此外,第四季將持續(xù)處分業(yè)外持股以緩和認(rèn)列日本子公司損失對(duì)損益的影響。
聯(lián)電公司指出,40納米制程芯片需求暢旺,營收貢獻(xiàn)從第二季9%成長至第三季的13%,年底到達(dá)15%營收的內(nèi)部目標(biāo)可望提前完成。
為提供客戶在蓬勃發(fā)展的觸控芯片領(lǐng)域最具競(jìng)爭(zhēng)力的解決方案,聯(lián)電日前宣布推出創(chuàng)新的embedded Flash特殊制程技術(shù)平臺(tái),已為數(shù)家觸控領(lǐng)導(dǎo)廠商采用并量產(chǎn),聯(lián)電樂觀預(yù)期這些特殊制程技術(shù)將為聯(lián)電的成長注入動(dòng)能。

針對(duì)28納米制程,孫世偉表示,28納米進(jìn)度符合預(yù)期,其中依照聯(lián)電28納米設(shè)計(jì)套件(design-in)的產(chǎn)品良率持續(xù)提升中,首波28納米porting產(chǎn)品良率的提升經(jīng)過幾個(gè)月元件及制程參數(shù)之調(diào)整,已獲得顯著的進(jìn)展。聯(lián)電也在第三季成功tape-out使用28納米high-k and metal-gate(gate-last)制程的移動(dòng)通信產(chǎn)品,并陸續(xù)與包含28納米移動(dòng)通信、運(yùn)算,有線、無線網(wǎng)絡(luò),數(shù)碼電視,資料儲(chǔ)存控制器以及可程序邏輯等應(yīng)用的客戶密切合作。同時(shí),在IBM FinFET技術(shù)授權(quán)的基礎(chǔ)上,聯(lián)電決定積極投入14納米FinFET(+20nm metal)制程技術(shù)的開發(fā)。
此外,聯(lián)電第三季認(rèn)列日本子公司UMCJ清算損失約10.5億元,預(yù)計(jì)未來1-2季還會(huì)持續(xù)認(rèn)列損失,惟預(yù)估金額將會(huì)減少。另一方面,聯(lián)電第三季大舉處分業(yè)外投資,包括處分聯(lián)詠(3034)、原相(3227)等持股,挹注聯(lián)電第三季業(yè)外仍小賺8300萬元,降低清算UMCJ的沖擊。聯(lián)電第四季擬持續(xù)處分手上轉(zhuǎn)投資持股,來緩和認(rèn)列UMCJ損失對(duì)當(dāng)期損益的影響。



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