近日，中微半導體發(fā)布了兩款新一代刻蝕設備。

新設備中的第一款是Primo SSC AD-RIE(“單反應器甚高頻去耦合反應離子介質(zhì)刻蝕機”)，可應用于最先進的存儲芯片和邏輯芯片的加工生產(chǎn)，包括2x納米及1x納米代高深寬比接觸孔刻蝕、溝槽及接觸孔刻蝕、串行刻蝕(在單反應器中實現(xiàn)多步操作)。Primo SSC AD-RIE擁有獨特的創(chuàng)新設計，能夠在工藝控制方面實現(xiàn)前所未有的靈活性，并能幫助芯片生產(chǎn)商在確保芯片加工質(zhì)量的同時達到更高的產(chǎn)出效率。

另一款，12英寸硅通孔刻蝕設備Primo TSV300E?，拓展了原有的8英寸硅刻蝕產(chǎn)品Primo TSV200E?的能力，可用于多種硅深孔及深槽刻蝕。公司的8英寸硅通孔刻蝕設備Primo TSV200E?獲得業(yè)界認可，已被亞洲眾多客戶用于先進系統(tǒng)封裝、2.5維封裝和微機電系統(tǒng)芯片的生產(chǎn)。中微第一臺Primo TSV300E?設備已在國內(nèi)領先的晶圓封裝廠運轉(zhuǎn)。

這兩種設備強化了中微公司產(chǎn)品布局，為全球芯片生產(chǎn)商應對半導體工藝的挑戰(zhàn)提供了更多、更新、更好的解決方案。

中微公司董事長兼首席執(zhí)行官尹志堯認為，這些設備都具有領先的獨特創(chuàng)新，能夠解決隨著技術進步和材料深度整合出現(xiàn)的新的技術障礙。他表示：“這些設備也能為芯片生產(chǎn)商帶來顯著的成本競爭優(yōu)勢，創(chuàng)造更多價值?！?/p>