近日，中微半導(dǎo)體發(fā)布了兩款新一代刻蝕設(shè)備。

新設(shè)備中的第一款是Primo SSC AD-RIE(“單反應(yīng)器甚高頻去耦合反應(yīng)離子介質(zhì)刻蝕機(jī)”)，可應(yīng)用于最先進(jìn)的存儲(chǔ)芯片和邏輯芯片的加工生產(chǎn)，包括2x納米及1x納米代高深寬比接觸孔刻蝕、溝槽及接觸孔刻蝕、串行刻蝕(在單反應(yīng)器中實(shí)現(xiàn)多步操作)。Primo SSC AD-RIE擁有獨(dú)特的創(chuàng)新設(shè)計(jì)，能夠在工藝控制方面實(shí)現(xiàn)前所未有的靈活性，并能幫助芯片生產(chǎn)商在確保芯片加工質(zhì)量的同時(shí)達(dá)到更高的產(chǎn)出效率。

另一款，12英寸硅通孔刻蝕設(shè)備Primo TSV300E?，拓展了原有的8英寸硅刻蝕產(chǎn)品Primo TSV200E?的能力，可用于多種硅深孔及深槽刻蝕。公司的8英寸硅通孔刻蝕設(shè)備Primo TSV200E?獲得業(yè)界認(rèn)可，已被亞洲眾多客戶用于先進(jìn)系統(tǒng)封裝、2.5維封裝和微機(jī)電系統(tǒng)芯片的生產(chǎn)。中微第一臺(tái)Primo TSV300E?設(shè)備已在國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的晶圓封裝廠運(yùn)轉(zhuǎn)。

這兩種設(shè)備強(qiáng)化了中微公司產(chǎn)品布局，為全球芯片生產(chǎn)商應(yīng)對(duì)半導(dǎo)體工藝的挑戰(zhàn)提供了更多、更新、更好的解決方案。

中微公司董事長(zhǎng)兼首席執(zhí)行官尹志堯認(rèn)為，這些設(shè)備都具有領(lǐng)先的獨(dú)特創(chuàng)新，能夠解決隨著技術(shù)進(jìn)步和材料深度整合出現(xiàn)的新的技術(shù)障礙。他表示：“這些設(shè)備也能為芯片生產(chǎn)商帶來顯著的成本競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，創(chuàng)造更多價(jià)值?！?/p>