TSMC展望7nm工藝:450mm晶圓+極紫外光刻
[導(dǎo)讀]【IT168 應(yīng)用】臺(tái)積電近日對“遙遠(yuǎn)”未來的半導(dǎo)體技術(shù)進(jìn)行了展望,再次強(qiáng)調(diào)了450毫米大尺寸晶圓、極紫外(EUV)光刻技術(shù)的重要性,聲稱7nm工藝絕對離不開它們,甚至10nm的時(shí)候就需要。
臺(tái)積電CEO兼董事長張忠謀指出
【IT168 應(yīng)用】臺(tái)積電近日對“遙遠(yuǎn)”未來的半導(dǎo)體技術(shù)進(jìn)行了展望,再次強(qiáng)調(diào)了450毫米大尺寸晶圓、極紫外(EUV)光刻技術(shù)的重要性,聲稱7nm工藝絕對離不開它們,甚至10nm的時(shí)候就需要。
臺(tái)積電CEO兼董事長張忠謀指出:“極紫外光刻和450毫米(晶圓)對我們的10nm以及更高級工藝來說是非常必要的……在我看來,即便10nm不一定需要,極紫外也是經(jīng)濟(jì)地實(shí)現(xiàn)7nm的必由之路。就算在10nm階段,如果能有高產(chǎn)出量的極紫外,成本也會(huì)大大降低。當(dāng)然了,我們可以使用雙重、三重乃至是四重圖案曝光,但這哦能免則免。這取決于(荷蘭ASML)高產(chǎn)量極紫外?!?br>
目前,ASML的六臺(tái)預(yù)產(chǎn)型NXE:3100極紫外光刻系統(tǒng)每小時(shí)能產(chǎn)出最多7塊晶圓,使用的是11W光源。今年夏天,ASML、Cymer(已被前者收購)已經(jīng)聯(lián)合取得了重大突破,在實(shí)驗(yàn)室內(nèi)證明如果換成30W光源,NXE:3300B系統(tǒng)每小時(shí)能產(chǎn)出18塊晶圓。ASML的最終目標(biāo)依然是105W光源、69塊晶圓每小時(shí),并希望能在2014年實(shí)現(xiàn)投產(chǎn)。
根據(jù)路線圖,臺(tái)積電將在2016-2017年試產(chǎn)450毫米晶圓,然后2018年開始商業(yè)性量產(chǎn)。具體搭配的工藝節(jié)點(diǎn)沒有明示,按時(shí)間算應(yīng)該是成熟的10nm,或者初期的7nm。
張忠謀強(qiáng)調(diào)說:“450毫米(晶圓)將是降低成本的又一助推。我覺得450毫米(晶圓)會(huì)在7nm工藝上引入,也可能更早。Intel的計(jì)劃應(yīng)該是10nm,但我的感覺更傾向于7nm。”
臺(tái)積電
張忠謀還透露,臺(tái)積電最近已經(jīng)在臺(tái)灣春安買下了一塊14萬平方米的地皮,距離新竹科技園大約20分鐘車程,將用來建造一個(gè)特殊的研發(fā)中心,試驗(yàn)450毫米晶圓和7nm工藝。
臺(tái)積電CEO兼董事長張忠謀指出:“極紫外光刻和450毫米(晶圓)對我們的10nm以及更高級工藝來說是非常必要的……在我看來,即便10nm不一定需要,極紫外也是經(jīng)濟(jì)地實(shí)現(xiàn)7nm的必由之路。就算在10nm階段,如果能有高產(chǎn)出量的極紫外,成本也會(huì)大大降低。當(dāng)然了,我們可以使用雙重、三重乃至是四重圖案曝光,但這哦能免則免。這取決于(荷蘭ASML)高產(chǎn)量極紫外?!?br>
目前,ASML的六臺(tái)預(yù)產(chǎn)型NXE:3100極紫外光刻系統(tǒng)每小時(shí)能產(chǎn)出最多7塊晶圓,使用的是11W光源。今年夏天,ASML、Cymer(已被前者收購)已經(jīng)聯(lián)合取得了重大突破,在實(shí)驗(yàn)室內(nèi)證明如果換成30W光源,NXE:3300B系統(tǒng)每小時(shí)能產(chǎn)出18塊晶圓。ASML的最終目標(biāo)依然是105W光源、69塊晶圓每小時(shí),并希望能在2014年實(shí)現(xiàn)投產(chǎn)。
根據(jù)路線圖,臺(tái)積電將在2016-2017年試產(chǎn)450毫米晶圓,然后2018年開始商業(yè)性量產(chǎn)。具體搭配的工藝節(jié)點(diǎn)沒有明示,按時(shí)間算應(yīng)該是成熟的10nm,或者初期的7nm。
張忠謀強(qiáng)調(diào)說:“450毫米(晶圓)將是降低成本的又一助推。我覺得450毫米(晶圓)會(huì)在7nm工藝上引入,也可能更早。Intel的計(jì)劃應(yīng)該是10nm,但我的感覺更傾向于7nm。”
臺(tái)積電
張忠謀還透露,臺(tái)積電最近已經(jīng)在臺(tái)灣春安買下了一塊14萬平方米的地皮,距離新竹科技園大約20分鐘車程,將用來建造一個(gè)特殊的研發(fā)中心,試驗(yàn)450毫米晶圓和7nm工藝。





