聯(lián)電 (2303)今(19日)宣布，已順利驗證晶圓專工業(yè)界第一個結(jié)合12V解決方案的高壓嵌入式快閃記憶體 (eFlash)制程。聯(lián)電指出，此制程可將中大尺寸之觸控IC所需的驅(qū)動高壓，以及存放演算法所需的eFlash，結(jié)合于同一顆高整合度的單晶片中，并且有效地改善信噪比(SNR )。與業(yè)界所提供的其他高壓選項(例如18V、24V或32V)相比，此12V解決方案在信噪比與耗電之間，提供了不錯的平衡。
聯(lián)電特殊技術(shù)開發(fā)處陳立哲資深處長表示，聯(lián)電建構(gòu)了完整的技術(shù)平臺，該平臺包含了尖端技術(shù)與客戶導(dǎo)向的特殊技術(shù)，并能充分滿足客戶廣泛應(yīng)用產(chǎn)品的需求。而聯(lián)電作為第一家推出整合eFlash制程的12V至鋁制程A+平臺之晶圓專工公司，也讓其有能力掌握中大尺寸觸控面板快速成長的市場契機。
聯(lián)電強調(diào)，公司現(xiàn)有0.18微米與0.11微米eFlash產(chǎn)品的成功經(jīng)驗，可說為此12V eFlash平臺的順利推出，打下了穩(wěn)固的基礎(chǔ)，并可借此協(xié)助客戶在蓬勃發(fā)展的觸控晶片市場中，加速產(chǎn)品上市時程，同時差異化其產(chǎn)品定位。而聯(lián)電現(xiàn)已大量出貨eFlash晶圓，數(shù)家晶片設(shè)計公司也已經(jīng)在其觸控螢?zāi)划a(chǎn)品上，采用并且驗證了聯(lián)電的12V eFlash解決方案。