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[導(dǎo)讀]拓墣今(2日)舉辦2013年IT產(chǎn)業(yè)大預(yù)測(cè)研討會(huì),拓墣半導(dǎo)體研究中心副理陳蘭蘭指出,明年會(huì)是三星「全面進(jìn)攻」的一年,主要是三星將記憶體產(chǎn)能大舉轉(zhuǎn)進(jìn)晶圓代工,臺(tái)積電(2330)將面臨強(qiáng)烈挑戰(zhàn)。她指出,今年臺(tái)積電的28奈米

拓墣今(2日)舉辦2013年IT產(chǎn)業(yè)大預(yù)測(cè)研討會(huì),拓墣半導(dǎo)體研究中心副理陳蘭蘭指出,明年會(huì)是三星「全面進(jìn)攻」的一年,主要是三星將記憶體產(chǎn)能大舉轉(zhuǎn)進(jìn)晶圓代工臺(tái)積電(2330)將面臨強(qiáng)烈挑戰(zhàn)。她指出,今年臺(tái)積電的28奈米產(chǎn)能仍居全球之冠,約占全球的8成以上,不過(guò)隨著三星大舉擴(kuò)產(chǎn),且中國(guó)的瑞芯微電子也將擴(kuò)大對(duì)格羅方德的下單,導(dǎo)致先進(jìn)制程需求雖旺,但由于各家大廠不斷加速擴(kuò)產(chǎn)腳步,搶單現(xiàn)入白熱化,卻可能讓臺(tái)積電陷入ASP下滑的削價(jià)競(jìng)爭(zhēng)壓力。估計(jì)到了2013年,臺(tái)積電的28奈米產(chǎn)能,將僅占全球的5成以下。
陳蘭蘭表示,三星近2年于晶圓代工的資本支出相當(dāng)積極,2010年于此部分的資本支出僅有20億美元,和臺(tái)積電的60億美元還有段差距;而2012年三星于晶圓代工的資本支出就升至70億美元,直逼臺(tái)積電的85億美元,由此可見(jiàn)三星于晶圓代工業(yè)務(wù)的企圖心。
她指出,臺(tái)積電目前則有Fab 12、Fab 14、Fab 15 3個(gè)廠從事12吋晶圓的生產(chǎn),總計(jì)每月產(chǎn)能約31.8萬(wàn)片。至于三星目前已擁有4座12吋晶圓廠的代工產(chǎn)能(包括S-Line、SAS-2、Line 14、SAS-1),而今年的每月產(chǎn)能可達(dá)11.25萬(wàn)片。其中,美國(guó)奧斯汀廠的Line 14可說(shuō)扮演三星很重要的成長(zhǎng)動(dòng)能。陳蘭蘭分析,三星的Line 14原本有1/2產(chǎn)能專用于蘋(píng)果處理器的生產(chǎn),另外1/2則為NAND FLASH的產(chǎn)能,目前已經(jīng)轉(zhuǎn)為晶圓代工,在12吋晶圓的擴(kuò)產(chǎn)上動(dòng)作可說(shuō)相當(dāng)積極。
陳蘭蘭更指出,三星于12吋晶圓廠的產(chǎn)能今年就已超越聯(lián)電(2303)和格羅方德(GF):2012年全球12吋晶圓的每月產(chǎn)能約為74萬(wàn)片,其中臺(tái)積電占44.84%、三星占15.35%,而這個(gè)數(shù)據(jù)已超過(guò)聯(lián)電的12.5%??和格羅方德的14.13%。估計(jì)到了2013年,三星的12吋產(chǎn)能將占全球的20.48%,屆時(shí)臺(tái)積電則占42.52%,顯示雙方的產(chǎn)能差距更是大幅拉近。在先進(jìn)制程產(chǎn)能持續(xù)持續(xù)擴(kuò)張的情況下,臺(tái)積電很可能面臨低價(jià)競(jìng)爭(zhēng)的壓力。


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