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[導(dǎo)讀]2012年受惠行動(dòng)裝置和行動(dòng)運(yùn)算應(yīng)用熱門(mén),造成臺(tái)積電28奈米制程產(chǎn)能狂缺,加上GlobalFoundries和三星電子(Samsung Electronics)也都朝先進(jìn)制程猛攻,未來(lái)各廠能否快速布局先進(jìn)制程技術(shù)成為晶圓代工廠致勝關(guān)鍵。 根據(jù)

2012年受惠行動(dòng)裝置和行動(dòng)運(yùn)算應(yīng)用熱門(mén),造成臺(tái)積電28奈米制程產(chǎn)能狂缺,加上GlobalFoundries和三星電子(Samsung Electronics)也都朝先進(jìn)制程猛攻,未來(lái)各廠能否快速布局先進(jìn)制程技術(shù)成為晶圓代工廠致勝關(guān)鍵。
根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insights統(tǒng)計(jì),2012年臺(tái)積電在45奈米以下先進(jìn)制程占營(yíng)收比重預(yù)估會(huì)達(dá)約37%,營(yíng)收貢獻(xiàn)高達(dá)623億美元,GlobalFoundries則僅279億美元。不過(guò),GlobalFoundries的45奈米以下先進(jìn)制程占營(yíng)收比重超過(guò)60%,是晶圓代工業(yè)者中最仰賴(lài)先進(jìn)制程挹注營(yíng)收的廠商,聯(lián)電45奈米以下的先進(jìn)制程約占營(yíng)收11%,中芯國(guó)際因?yàn)檫M(jìn)入晚,預(yù)計(jì)2012年僅占1%不到。

以整體2012年來(lái)看,晶圓代工產(chǎn)業(yè)45奈米以下先進(jìn)制程約占總營(yíng)收約30%,較2011年22%提升,但各大晶圓代工業(yè)者之間的先進(jìn)制程技術(shù)落差明顯。

再者,2012年上半以每片晶圓(折合8寸計(jì)算)營(yíng)收來(lái)看,臺(tái)積電每片晶圓營(yíng)收為1,194美元,聯(lián)電798美元、中芯國(guó)際752美元,這也是制程進(jìn)度不同產(chǎn)生的差異。




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