針對行動裝置市場，提供更細小的面積空間以及減低所需功耗，讓行動裝置體積得以減少，以及延長電池續(xù)航行力，半導體廠商 GlobalFoundries 日前宣布將采用 14nm-XM 制程架構，并首次引入 3D FinFET 電晶體，為立體 (SoC) 晶片設計，預期將于 2014 年正式量產(chǎn)。

14nm-XM 制程架構中的 XM 代表「極端流動性」，結合了 20nmLPM 和 14nm FinFET ，透過開發(fā)已在進行中的 20nmLPM 技術，利用較成熟的 20nm-LPM 平穩(wěn)地遷移到 FinFET 技術中。

據(jù) GlobalFoundries 表示， FinFET 的架構需要傳統(tǒng) 3D 晶體管的設計，以及轉動在其一側的導電通道，進而達致在一個 3D 的結構所包圍的柵極，用于控制電流的流動，透過 3D 晶體管減低電流流失，令行動裝置電池壽命更長久。

同時， GlobalFoundries 亦進一步指出，透過 14nm-XM 制程架構對功耗的優(yōu)化，能夠比 20nm 2D 電晶體技術改善 40-60 ％的電池續(xù)航力表現(xiàn)，而且在相同電壓下可提升 20-55% 效能表現(xiàn)，利用 14NM-XM 架構的性能和功耗之間取得理想的平衡，同時盡量減少晶片尺寸和成本。

此外， GLOBALFOUNDRIES 針對在 FinFET 加工技術上，宣布與 ARM 達成合作考議，共為 ARM 處理器提供優(yōu)化的 SoC 方案，將共同優(yōu)化 ARM Cortex-A 系列處理器，并推動生產(chǎn) IP 平臺，以促進快速遷移到 3D FinFET 晶體管技術。