不讓臺積電(2330-TW)(TSM-US)專美于前。GLOBALFOUNDRIES(格羅方德)今(21)日宣布推出專為成長快速的行動市場所設計的新技術14nm-XM，加速其頂尖的發(fā)展藍圖并采優(yōu)化新世代行動裝置的FinFET電晶體架構；并結合將量產(chǎn)的20奈米LPM制程。

該公司說明，推出的14nm-XM技術，將為客戶提供3D「FinFET」電晶體的效能及能源優(yōu)勢，不僅可降低風險，更能加快上市時間，從而幫助無晶圓廠生態(tài)體系維持行動市場的領導地位的同時，開發(fā)出新一代的智慧行動裝置。

XM 是「eXtreme Mobility」的縮寫，為業(yè)界最頂尖的非平面式架構，真正為行動系統(tǒng)單晶片(SoC) 設計做了優(yōu)化，提供從電晶體到系統(tǒng)層級的完整產(chǎn)品解決方案。在20nm技術節(jié)點，相較于目前的2D 平面式電晶體，這項技術預計可望提升40% - 60%的電池使用壽命。

14nm-XM采用模組化的技術架構，完美結合了14nm的FinFET 元件與GLOBALFOUNDRIES 公司即將量產(chǎn)的20nm-LPM 制程技術。運用成熟的20nm-LPM技術，讓想利用FinFET SoC 優(yōu)勢的客戶，能以最快的速度順利轉移。

值得注意的是，GLOBALFOUNDRIES技術研發(fā)工作已展開，矽晶片也已透過位于紐約薩拉托加郡的晶圓8 廠進行測試。初期制程設計套件(PDKs) 現(xiàn)已開始提供，并預計將于2013 年可提供客戶產(chǎn)品投片。

GLOBALFOUNDRIES 技術長Gregg Bartlett 表示，GLOBALFOUNDRIES 投入FinFET 研發(fā)已超過10 年，將以此為基礎讓這項技術得以進入生產(chǎn)階段。有信心透過這項深厚的基礎將可讓我們帶領業(yè)界進入FinFET 的量產(chǎn)階段，就如同在高介電金屬閘極(HKMG) 技術領域的成就。