[導(dǎo)讀]中芯國際宣布,推出1.2伏(V)低功耗嵌入式EEPROM的平臺,與其0.13微米(um)低漏電(LL)工藝完全相容。
該平臺經(jīng)過流片以及IP驗證,在降低功耗、晶片尺寸和成本的同時,能提高資料的安全性。這個新平臺為中芯國
中芯國際宣布,推出1.2伏(V)低功耗嵌入式EEPROM的平臺,與其0.13微米(um)低漏電(LL)工藝完全相容。
該平臺經(jīng)過流片以及IP驗證,在降低功耗、晶片尺寸和成本的同時,能提高資料的安全性。這個新平臺為中芯國際的成熟工藝節(jié)點提供了最新的增值服務(wù),主打中國快速發(fā)展的雙介面金融IC卡市場及全球非接觸式智慧卡市場。
該平臺經(jīng)過流片以及IP驗證,在降低功耗、晶片尺寸和成本的同時,能提高資料的安全性。這個新平臺為中芯國際的成熟工藝節(jié)點提供了最新的增值服務(wù),主打中國快速發(fā)展的雙介面金融IC卡市場及全球非接觸式智慧卡市場。





