昭和電工于2012年8月30日宣布，將功率半導(dǎo)體器件用4英寸SiC外延晶圓（也叫磊晶）的產(chǎn)能提高到了原來(lái)的2.5倍。

采用SiC的功率半導(dǎo)體器件有利于減小逆變器等電力轉(zhuǎn)換設(shè)備的尺寸，降低損耗，因此器件廠商都在積極開發(fā)這種產(chǎn)品。據(jù)昭和電工介紹，此次增強(qiáng)產(chǎn)能是因?yàn)椤凹译姷鹊碗妷?strong>小電流應(yīng)用領(lǐng)域逐漸產(chǎn)生了實(shí)際需求，軌道交通車輛及工業(yè)設(shè)備等高電壓大電流領(lǐng)域的開發(fā)案例也不斷增加”。SiC制器件比作為競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的Si制器件價(jià)格高是其普及的瓶頸。如果高品質(zhì)外延晶圓的產(chǎn)量增加，就有望降低器件的成本。

昭和電工在崎玉縣秩父事務(wù)所內(nèi)新增了外延基板生產(chǎn)設(shè)備——3號(hào)爐。該公司通過(guò)引進(jìn)新設(shè)備，以及改進(jìn)量產(chǎn)技術(shù)，使產(chǎn)能增至原來(lái)的2.5倍，達(dá)到月產(chǎn)1500塊（4英寸）。生產(chǎn)方式是，將多塊晶圓放在生產(chǎn)設(shè)備中，讓晶圓在1500～1600℃的高溫旋轉(zhuǎn)的情況下外延生長(zhǎng)。昭和電工利用自主技術(shù)對(duì)生產(chǎn)設(shè)備進(jìn)行改進(jìn)，保持了外延層的均一性并提高了量產(chǎn)性。擁有缺陷密度低、表面平滑的外延層的晶圓有望提高M(jìn)OSFET等柵極采用氧化膜的器件的特性，提高成品率步。

現(xiàn)在，日本的SiC基板市場(chǎng)規(guī)模為幾十億日元左右，到2020年有望達(dá)到400億日元左右。昭和電工目前在日本市場(chǎng)的份額為50～60％。（記者：田島 進(jìn)，編輯委員）