國(guó)際半導(dǎo)體展SEMICON即將于明(5日)開(kāi)跑，并于今日舉辦展前記者會(huì)，包括臺(tái)積電 (2330)研發(fā)副總林本堅(jiān)、臺(tái)積電營(yíng)運(yùn)/12吋廠副總王建光(見(jiàn)左圖)均出席，說(shuō)明未來(lái)臺(tái)積電于先進(jìn)制程的發(fā)展布局。王建光指出，順利的話，臺(tái)積電于2018年就能開(kāi)始量產(chǎn)18吋晶圓，而切入的制程則會(huì)是10 奈米。
王建光表示，今年可說(shuō)是推動(dòng)450mm(即18吋)晶圓興奮的一年，主要是今年初全球450mm聯(lián)盟成立，包括英特爾、三星、臺(tái)積電、IBM、GlobalFoundries等5大半導(dǎo)體廠商均加入，每家企業(yè)并貢獻(xiàn)20位技術(shù)專家，到紐約參與450mm晶圓的討論，希望以最經(jīng)濟(jì)、有效的方式來(lái)為450mm建立新的標(biāo)準(zhǔn)，對(duì)未來(lái)規(guī)格的制訂盡快形成共識(shí)，期待將來(lái)450mm一生產(chǎn)「一槍就能中的」。
而關(guān)于臺(tái)積電日前入股ASML，對(duì)18吋晶圓的生產(chǎn)推動(dòng)助益如何？王建光則是指出，希望于2015年初能夠取得EUV(極紫外光微影技術(shù))的Demo Tool，而在2016-2017年漸漸建立起450mm的上下游供應(yīng)鏈，順利的話，臺(tái)積電于2018年就能開(kāi)始量產(chǎn)18吋晶圓，而切入的制程會(huì)是10奈米。
而林本堅(jiān)也進(jìn)一步解釋，目前臺(tái)積電規(guī)劃中的制程演進(jìn)，是從28奈米，依序走到20奈米、16奈米、10奈米，現(xiàn)階段20奈米進(jìn)度順利，已接近量產(chǎn)階段。惟他也坦言，臺(tái)積電原本預(yù)估在20奈米制程就要采用EUV技術(shù)，但摩爾定律不斷滾動(dòng)，因此「等不及」，現(xiàn)在20奈米仍采用雙重曝光技術(shù)(Double-patterning)生產(chǎn)，而下一世代的16奈米FinFET制程估計(jì)也還會(huì)持續(xù)采用雙重曝光技術(shù)。
林本堅(jiān)指出，畢竟雙重曝光技術(shù)仍相當(dāng)昂貴，臺(tái)積電原本期待EUV的選項(xiàng)能給公司「帶來(lái)解脫」，但目前技術(shù)還不成熟，也因此他認(rèn)為，EUV技術(shù)在10奈米的時(shí)候再導(dǎo)入可能性較高，而多重曝光(multiple-patterning)也會(huì)是另一個(gè)選項(xiàng)。