ARM、GlobalFoundries今天聯(lián)合宣布達(dá)成多年合作協(xié)議，將會(huì)攜手致力于ARM SoC處理器在GlobalFoundries 20nm工藝和FinFET技術(shù)上的優(yōu)化制造，同時(shí)還會(huì)在Mali圖形核心方面加強(qiáng)合作。


芯片（圖片來(lái)源于驅(qū)動(dòng)之家）

做為協(xié)議的一部分，ARM會(huì)開(kāi)發(fā)一整套的ARM Artisan物理IP，包括標(biāo)準(zhǔn)的單元庫(kù)、內(nèi)存編譯器、POP IP方案，可以為智能手機(jī)、平板機(jī)、超輕薄筆記本等移動(dòng)設(shè)備帶來(lái)全新的系統(tǒng)性能和能耗優(yōu)化。

在此之前，ARM、GlobalFoundries已經(jīng)在Cortex-A系列處理器上進(jìn)行了多年合作，包括多次展示28nm工藝的性能和能效收益，以及正在紐約州新工廠進(jìn)行的20nm測(cè)試芯片。


GlobalFoundries 20nm-LPM工藝號(hào)稱可以比28nm工藝提升最多40％的性能，同時(shí)實(shí)現(xiàn)柵極密度的翻番，但還不清楚什么時(shí)候能夠投入量產(chǎn)。GlobalFoundries這兩年的表現(xiàn)有些令人失望，良品率和產(chǎn)能都坑苦了AMD，希望隨著紐約州新工廠的逐步完工，20nm上能有所起色。

FinFET是一種新的三維晶體管技術(shù)，是實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體工藝深入突破的關(guān)鍵之一，Intel Tri-Gat三柵極技術(shù)就是它的一個(gè)子集。該技術(shù)的研發(fā)已經(jīng)進(jìn)行了長(zhǎng)達(dá)十年，不過(guò)最近才開(kāi)始投入實(shí)用。除了已經(jīng)實(shí)現(xiàn)的Intel，GlobalFoundries、臺(tái)積電也都會(huì)陸續(xù)采用。 (本文來(lái)源：中關(guān)村在線網(wǎng)站 )