臺積電與英商安謀（ARM）昨（23）日共同宣布一項為期多年的合作協(xié)議，將雙方的合作延續(xù)至20納米制程以下，藉由臺積電16納米3D架構(gòu)的鰭式場效晶體管（FinFET）制程提供ARM的處理器技術(shù)，讓芯片設(shè)計商在應(yīng)用處理器領(lǐng)域也能擴展其市場領(lǐng)先優(yōu)勢。

臺積電及ARM的合作協(xié)議，將為ARMv8架構(gòu)下的新一世代64位元ARM 處理器、ARM Artisan實體矽智財?shù)?，與臺積電的FinFET制程技術(shù)進行最佳化結(jié)合，以應(yīng)用于要求高性能與節(jié)能兼具的行動及企業(yè)市場。

這次的合作涵蓋了兩家公司的技術(shù)信息共享與回饋，協(xié)助提升ARM矽智財與臺積電制程技術(shù)的開發(fā)。

ARM將藉助制程信息，打造兼顧效能、功率與面積（Power, Performance and Area，PPA）的最佳化完整解決方案，以降低風(fēng)險并促使客戶及早采用。

透過臺積電FinFET技術(shù)與ARMv8架構(gòu)的集成，芯片設(shè)計產(chǎn)業(yè)可以取得能跨市場類別且持續(xù)創(chuàng)新的解決方案。這項合作將可改善矽制程、實體IP和處理器技術(shù)，共同促成嶄新的系統(tǒng)單芯片創(chuàng)新，并縮短產(chǎn)品上市時程。

這次的合作最特別之處，在于ARM將藉由一項全新的節(jié)能64位元執(zhí)行狀態(tài)，滿足高階行動、企業(yè)和服務(wù)器應(yīng)用程序的性能需求。因為企業(yè)運算與網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)架構(gòu)，是行動與云端運算市場的根基，而為了實現(xiàn)企業(yè)運算與網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)架構(gòu)，64位元存儲器定址和高階性能是必備的條件。

臺積電預(yù)計在16納米制程開始提供FinFET制程，預(yù)計2015年開始投入生產(chǎn)，F(xiàn)inFET制程可顯著地改善速度與功率，并且降低漏電流，這些優(yōu)勢克服了先進SoC技術(shù)進一步微縮時所遭遇的關(guān)鍵障礙。