臺(tái)積電與英商安謀（ARM）昨（23）日共同宣布一項(xiàng)為期多年的合作協(xié)議，將雙方的合作延續(xù)至20奈米制程以下，藉由臺(tái)積電16奈米3D架構(gòu)的鰭式場(chǎng)效電晶體（FinFET）制程提供ARM的處理器技術(shù)，讓晶片設(shè)計(jì)商在應(yīng)用處理器領(lǐng)域也能擴(kuò)展其市場(chǎng)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。
臺(tái)積電及ARM的合作協(xié)議，將為ARMv8架構(gòu)下的新一世代64位元ARM 處理器、ARM Artisan實(shí)體矽智財(cái)?shù)龋c臺(tái)積電的FinFET制程技術(shù)進(jìn)行最佳化結(jié)合，以應(yīng)用于要求高性能與節(jié)能兼具的行動(dòng)及企業(yè)市場(chǎng)。
這次的合作涵蓋了兩家公司的技術(shù)資訊共享與回饋，協(xié)助提升ARM矽智財(cái)與臺(tái)積電制程技術(shù)的開(kāi)發(fā)。
ARM將借助制程資訊，打造兼顧效能、功率與面積（Power, Performance and Area，PPA）的最佳化完整解決方案，以降低風(fēng)險(xiǎn)并促使客戶(hù)及早采用。
透過(guò)臺(tái)積電FinFET技術(shù)與ARMv8架構(gòu)的整合，晶片設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)可以取得能跨市場(chǎng)類(lèi)別且持續(xù)創(chuàng)新的解決方案。這項(xiàng)合作將可改善矽制程、實(shí)體IP和處理器技術(shù)，共同促成嶄新的系統(tǒng)單晶片創(chuàng)新，并縮短產(chǎn)品上市時(shí)程。
這次的合作最特別之處，在于ARM將藉由一項(xiàng)全新的節(jié)能64位元執(zhí)行狀態(tài)，滿(mǎn)足高階行動(dòng)、企業(yè)和伺服器應(yīng)用程式的性能需求。因?yàn)槠髽I(yè)運(yùn)算與網(wǎng)路基礎(chǔ)架構(gòu)，是行動(dòng)與云端運(yùn)算市場(chǎng)的根基，而為了實(shí)現(xiàn)企業(yè)運(yùn)算與網(wǎng)路基礎(chǔ)架構(gòu)，64位元記憶體定址和高階性能是必備的條件。
臺(tái)積電預(yù)計(jì)在16奈米制程開(kāi)始提供FinFET制程，預(yù)計(jì)2015年開(kāi)始投入生產(chǎn)，F(xiàn)inFET制程可顯著地改善速度與功率，并且降低漏電流，這些優(yōu)勢(shì)克服了先進(jìn)SoC技術(shù)進(jìn)一步微縮時(shí)所遭遇的關(guān)鍵障礙。