40nm、28nm上連續(xù)栽了兩個跟頭，全球頭號代工廠臺積電依然雄心勃勃，已經(jīng)瞄準了下一站：20nm。

臺積電老大張忠謀近日就表示：“我們會在明年開始部分投產(chǎn)20nm，但只是小規(guī)模的，產(chǎn)量非常低，基本上我們稱之為風險性試產(chǎn)。2014年才會是20nm SoC大規(guī)模量產(chǎn)的時候?！?br>
一個有趣的現(xiàn)象是，臺積電20nm工藝只會提供單獨一個版本，通吃從高性能GPU到低功耗移動CPU的各種芯片，而目前的28nm工藝有至少四個版本：面向低功耗成本優(yōu)化芯片的28LP (poly/SiON)、用于低功耗應用處理器的28HPL (HKMG)、針對高性能芯片的28HP (HKMG)、綜合了高性能與低功耗技術(shù)而主要面向平板機/巨屏手機和輕薄型筆記本處理器的28HPM (HKMG)。

多種技術(shù)版本固然會有很強的針對性，但也大大增加了研發(fā)成本和難度，在半導體工藝越來越復雜的今天實在是疲于應付，這才促使臺積電轉(zhuǎn)變觀念，簡化成一個版本。


張忠謀還說：“我們預計會在16nm工藝上引入FinFET，大概在2015年的下半年?！?br>
FinFET即鰭式場效晶體管，是一種新的CMOS晶體管，至少可以縮小到9nm，是半導體工藝實現(xiàn)下一步突破的關(guān)鍵技術(shù)之一，發(fā)明人是加州大學伯克利分校的臺灣籍胡正明教授，曾在2001-2004年擔任臺積電首席技術(shù)官。Intel、GlobalFoundries等也都在計劃引入這一技術(shù)。

不過臺積電要想量產(chǎn)FinFET 16nm，估計怎么著也得2016-2017年了。

(本文來源：中關(guān)村在線網(wǎng)站 )