據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，臺(tái)灣芯片代工大廠聯(lián)電（UMC）上周末與IBM簽署了一項(xiàng)協(xié)議，前者將在后者幫助下研發(fā)并推出20nm CMOS制程工藝，并引入FinFET即3D晶體管技術(shù)。

聯(lián)電官方表態(tài)稱，IBM將其20nm制程工藝整套設(shè)計(jì)和FinFET技術(shù)授權(quán)給該公司有助于進(jìn)一步增強(qiáng)對(duì)代工客戶的吸引力。

目前聯(lián)電尚未加入IBM、GlobalFoundries和三星組成的Common Process Platform，聯(lián)電發(fā)言人稱此次達(dá)成的協(xié)議只涉及20nm工藝/FinFET技術(shù)并拒絕透露授權(quán)金額。

實(shí)際上IBM此舉頗有利用聯(lián)電試水的想法，20nm工藝/FinFET將以聯(lián)電制造而非IBM自己制造的形式出現(xiàn)。但分析人士認(rèn)為該協(xié)議實(shí)際上也是一個(gè)雙贏的成果，畢竟聯(lián)電最大的對(duì)手包括臺(tái)積電、GF和三星此前紛紛表態(tài)不會(huì)在14nm節(jié)點(diǎn)前引入FinFET/3-D晶體管，目前類似技術(shù)只有Intel在Ivy Bridge處理器中使用。引入IBM技術(shù)同時(shí)還有助于減少研發(fā)周期需要的時(shí)間。