半導(dǎo)體設(shè)備大廠應(yīng)用材??料推出最先進(jìn)的蝕刻技術(shù)－Applied Centura Avatar介電層蝕刻系統(tǒng)，這項(xiàng)突破性的系統(tǒng)是解決建立3D記憶體架構(gòu)的嚴(yán)峻挑戰(zhàn)；3D記憶體架構(gòu)可提供高密度兆位元儲(chǔ)存容量，為未來(lái)資料密集型行動(dòng)裝置所必需。
應(yīng)用材料表示，Avatar系統(tǒng)可在復(fù)合薄膜堆疊層中進(jìn)行孔洞性蝕刻及溝槽性蝕刻，深寬比可高達(dá)80比1，單一制程能同時(shí)蝕刻出各種不同深度的結(jié)構(gòu)，以形狀比例來(lái)形容的話，美國(guó)華盛頓紀(jì)念碑的深寬比是10比1高，臺(tái)北101大樓約9比1。
此外，該系統(tǒng)是第一款具備能同時(shí)蝕刻深度變化落差極大的特征結(jié)構(gòu)功能的系統(tǒng)，對(duì)于制造連接外界與各層記憶單元的「階梯式」接觸結(jié)構(gòu)非常重要。
應(yīng)用材料副總裁暨蝕刻事業(yè)群總經(jīng)理琶布．若杰（Prabu Raja）表示，3D記憶體結(jié)構(gòu)必須在復(fù)雜的多層材料堆疊中進(jìn)行深度的特征結(jié)構(gòu)蝕刻，Avatar系統(tǒng)利用我們?cè)陔姖{領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)技術(shù)，解決3D記憶體結(jié)構(gòu)的制程挑戰(zhàn)?？蛻魧?duì)于新系統(tǒng)的突破性功能非常感興趣，已售出超過(guò)30組系統(tǒng)給多家客戶，用于各項(xiàng)重要應(yīng)用。