聯(lián)電 ( UMC )稍早前宣布，與IBM達成協(xié)議，將加快其20nm制程及FinFET 3D 電晶體的發(fā)展，而此舉也很可能讓聯(lián)電成為唯一一家在20nm節(jié)點提供FinFET元件的純 ??晶圓代工廠。聯(lián)電正在努力扭轉(zhuǎn)局面。近年來，聯(lián)電和主要競爭對手臺積電(TSMC)的技術差距不斷拉大，而Globalfoundries不久前也宣布銷售額超越聯(lián)電，將聯(lián)電擠到了晶圓代工排名第三位。
臺積電(TSMC) 和Globalfoundries 都可算在2014或2015年時，于14nm 節(jié)點導入3D FinFET元件。部份先進代工客戶如Nvidia 則表示，他們希望代工廠能更快提供FinFET。因而部份業(yè)界人士猜測，臺積電和GlobalFoundries很可能會改變他們的發(fā)展藍圖，提前納入FinFET。
Globalfoundries 發(fā)言人表示，該公司已經(jīng)完成了完全耗盡型絕緣層上覆矽(SOI)技術的評估，預計2013年便可提供給客戶使用，而早期采用的客戶將可獲得該技術提供的性能優(yōu)勢。“我們和領先客戶密切合作，以確保這項技術在成本、易于設計、微縮等方面都是最佳化的解決方案?！?br>英特爾(Intel)已開始在22nm節(jié)點量產(chǎn)采用其FinFET元件(或稱三閘極電晶體, tri-gate)的晶片。目前，許多領先的無晶圓廠公司們，都希望藉由該技術來改善功耗。(英特爾已公開表示該公司正在為少數(shù)幾家規(guī)模較小的公司使用其22nm 3D技術生產(chǎn)晶片。但也有傳言指出，英特爾也正與其他數(shù)家公司就代工業(yè)務展開合作，其中還包括一些重量級的無晶圓廠晶片業(yè)者)。
在20nm節(jié)點納入FinFET將使聯(lián)電在標準平面20nm制外，也有能力提供20nm制程的低功耗版本。無論是臺積電或Globalfoundries，都計劃提供低功耗20nm制程。今年四月，臺積電執(zhí)行副總暨共同營運長蔣尚義曾表示，20nm的關鍵尺寸幾乎沒有足夠空間來為不同閘極長度調(diào)整設計規(guī)則，并提供不同版本的20nm制程了。
如果聯(lián)電能及時提供20nm FinFET 低功耗制程，就能與對手做出重大區(qū)隔。而這或許也是該公司奪回近年來不斷被競爭對手所搶占市場的關鍵所在。
每個人都知道，功耗是晶片制造商和電子產(chǎn)業(yè)中幾乎個一個人最關心的議題。若聯(lián)電能在競爭對手都還沒準備好時，就提供低功耗20nm FinFET制程，這對業(yè)界會是多么大的震撼？
英特爾負責制程技術研發(fā)的資深院士Mark Bohr對今年四月《EE Times》報導臺積電表示或許不打算提供低功耗20nm制程的報導所做出的反應，是認為晶片代工模式即將“崩潰” 。Bohr的看法可能過于偏激了。但他的出發(fā)點在于像美國高通這類無晶圓廠晶片業(yè)者，都會需要能盡可能降低晶片供耗的制程。
當然，目前有關聯(lián)電的20nm FinFET仍然只是一個計劃。即使獲得IBM的技術，卻也無法保證新制程的開發(fā)會一帆風順。而聯(lián)電本身也尚未對客戶提供任何有關該技術的時間表。
然而，若一切依計劃進行，則此舉將大幅強化聯(lián)電在代工領域的競爭力。