晶圓代工廠聯(lián)電（2303）昨（29）日宣布與IBM簽訂技術(shù)授權(quán)合約，將以3D架構(gòu)的鰭式場效晶體管（FinFET），促進(jìn)次世代尖端20納米CMOS制程的開發(fā)，以加速聯(lián)電次世代尖端技術(shù)的研發(fā)時(shí)程。

根據(jù)聯(lián)電及IBM的協(xié)議，IBM將授權(quán)其20納米設(shè)計(jì)套件以及FinFET技術(shù)給聯(lián)電，聯(lián)電將可運(yùn)用這些技術(shù)，加快推出這些制程給客戶采用的時(shí)程。不過聯(lián)電表示，雖取得技術(shù)授權(quán)，但聯(lián)電并未加入由IBM主導(dǎo)的半導(dǎo)體技術(shù)研發(fā)聯(lián)盟－通用平臺(tái)（Common Platform）。

聯(lián)電與IBM的合作協(xié)議，包括IBM的20納米CMOS制程與FinFET技術(shù)。聯(lián)電內(nèi)部自行研發(fā)的20納米平面（planar）制程，將與IBM的設(shè)計(jì)規(guī)則與制程/元件目標(biāo)同步，未來聯(lián)電的FinFET技術(shù)，將針對行動(dòng)運(yùn)算與通訊產(chǎn)品，此研發(fā)將于聯(lián)電位于南科的研發(fā)中心進(jìn)行。

目前全球的半導(dǎo)體廠的技術(shù)研發(fā)上，英特爾仍執(zhí)牛耳，量產(chǎn)中的22納米制程已導(dǎo)入「Tri-Gate」的3D晶體管架構(gòu)。為了追上英特爾腳步，包括臺(tái)積電、聯(lián)電、IBM、三星、格羅方德（GlobalFoundries）等晶圓代工廠，均投入龐大資金進(jìn)行3D架構(gòu)的FinFET技術(shù)研發(fā)，最快在20納米世代就會(huì)開始導(dǎo)入。

聯(lián)電表示，獲得IBM的技術(shù)授權(quán)后，聯(lián)電20納米制程技術(shù)除了平面制程，也會(huì)開始導(dǎo)入FinFET技術(shù)，且未來聯(lián)電與IBM的20納米制程兼容。

業(yè)者指出，聯(lián)電此舉等于20納米制程將與IBM「互通」，過去在IBM及通用平臺(tái)聯(lián)盟投片的客戶，可以在最短時(shí)間轉(zhuǎn)到聯(lián)電投片。而借重IBM的專業(yè)技術(shù)來縮減聯(lián)電20納米與FinFET研發(fā)周期，將可為聯(lián)電與客戶創(chuàng)造雙贏。