聯(lián)電(2303)今日(29日)宣布已取得IBM所授權(quán)的技術(shù)，將以finfet 3d晶體管，促進(jìn)次世代尖端20納米cmos制程的開發(fā)。雙方協(xié)議IBM將授權(quán)其20納米設(shè)計(jì)套件以及finfet技術(shù)給聯(lián)華電子，聯(lián)華電子將可運(yùn)用這些技術(shù)，加快推出這些制程給客戶采用的時(shí)程。
聯(lián)華電子先進(jìn)技術(shù)開發(fā)副總陳一浸博士表示，對(duì)于這次與世界知名技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者IBM所進(jìn)行的協(xié)議，感到十分高興。聯(lián)華電子身為全球晶圓專工領(lǐng)導(dǎo)者，必須掌握先機(jī)適時(shí)推出尖端制程，以協(xié)助客戶實(shí)現(xiàn)其次世代芯片設(shè)計(jì)。而借重IBM的專業(yè)技術(shù)來縮減20納米與finfet研發(fā)周期，將可為聯(lián)華電子與客戶創(chuàng)造雙贏。

聯(lián)華電子與IBM兩家公司的協(xié)議內(nèi)容，包括IBM的20納米cmos與finfet技術(shù)。聯(lián)華電子內(nèi)部自行研發(fā)的20納米平面(planar)制程，將與IBM的設(shè)計(jì)規(guī)則與制程/元件目標(biāo)同步，未來聯(lián)華電子的finfet技術(shù)，將針對(duì)行動(dòng)運(yùn)算與通訊產(chǎn)品，做為更強(qiáng)化的低耗電技術(shù)選項(xiàng)。此項(xiàng)研發(fā)將于聯(lián)華電子位于南科的研發(fā)中心進(jìn)行。(編輯整理：李慧蘭)