6月20日消息，中芯國際和燦芯半導(dǎo)體宣布，采用中芯國際40納米低漏電工藝的ARM Cortex-A9 MPCore雙核芯片測試結(jié)果達到1.3GHz。

該測試芯片基于ARM Cortex-A9雙核處理器設(shè)計，采用中芯國際的40納米低漏電工藝。處理器包括一個32KB I-cache和32KB D-cache以及其他所需之存儲器模塊、ARM NEON、調(diào)試和追蹤的ARM CoreSight等等， 另外還透過AMBA AXI總線集成了內(nèi)建SRAM與DMA、NOR flash、SDRAM、VGA等介面。除了高速標(biāo)準(zhǔn)單元庫以外，該測試芯片還采用了中芯國際高速定制存儲器和單元庫以提高性能。