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[導(dǎo)讀]隨著晶圓和其它邏輯制造廠增加30奈米以下的生產(chǎn), 晶圓制造設(shè)備于2012初始表現(xiàn)強(qiáng)勁。但是,根據(jù)Gartner最新報(bào)告,2012年全球晶圓制造設(shè)備(WFE)支出預(yù)期為330億美元,較2011年362億美元的支出規(guī)模衰退了8.9%。Gartn

隨著晶圓和其它邏輯制造廠增加30奈米以下的生產(chǎn), 晶圓制造設(shè)備于2012初始表現(xiàn)強(qiáng)勁。但是,根據(jù)Gartner最新報(bào)告,2012年全球晶圓制造設(shè)備(WFE)支出預(yù)期為330億美元,較2011年362億美元的支出規(guī)模衰退了8.9%。

Gartner研究副總裁Bob Johnson表示,由于新設(shè)備需求較原先預(yù)期為高,主要在良率未達(dá)成熟水準(zhǔn)之際,若要提高市場(chǎng)對(duì)領(lǐng)先(leading-edge)裝置的需求,便需拉高產(chǎn)量。但是,新邏輯生產(chǎn)設(shè)備需求會(huì)隨著良率提升而趨緩,導(dǎo)致今年下半年的出貨量下滑。不過,晶圓制造設(shè)備市場(chǎng)可望于2013年恢復(fù)成長(zhǎng),預(yù)期屆時(shí)的支出規(guī)??蛇_(dá)354億美元,較2012年增加7.4%。

晶圓制造廠產(chǎn)能利用率將于2012年中下滑至85%左右,預(yù)計(jì)到年底會(huì)緩慢回升至約87%。領(lǐng)先技術(shù)產(chǎn)能使用率則是會(huì)在下半年回到85%以上的范圍,到2013年將達(dá)95%以下的水準(zhǔn)。Johnson認(rèn)為,在庫(kù)存修正其之后,產(chǎn)能會(huì)逐漸恢復(fù)至更正常的水準(zhǔn)。需求成長(zhǎng),加上低良率持續(xù)消耗增加的產(chǎn)能產(chǎn)能利用率因而會(huì)再度于2012年第二季開始上升。而下半年的資本支出自制策略,也會(huì)為新稱增的產(chǎn)能減緩整體產(chǎn)能利用率會(huì)因而于2013年之初回到正常水準(zhǔn)。

2011年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)升級(jí)的趨勢(shì)也將延續(xù)至今年,帶動(dòng)不同設(shè)備的銷售機(jī)會(huì)。晶圓代工將進(jìn)入28奈米制程,領(lǐng)先技術(shù)邏輯則轉(zhuǎn)換至20奈米制程。NAND flash將采用1X技術(shù)制程,DRAM則采用4X和3X技術(shù)制程。Gartner分析師指出,設(shè)備供應(yīng)商會(huì)因技術(shù)制程世代不同,而面臨不同的挑戰(zhàn)。



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