意法半導體(STMicroelectronics，ST)宣布，半導體代工廠商 GLOBALFOUNDRIES 將采用意法半導體獨有的 FD-SOI (Fully Depleted Silicon-on-Insulator，完全空乏型矽絕緣層金氧半電晶體元件)技術為意法半導體生產 28奈米和 20奈米晶片。
ST表示，現今的消費者對智慧型手機和平板電腦的期望越來越高，除了要求能夠處理精美絕倫的圖片、支援多媒體和高速寬頻上網功能，同時不能犧牲電池壽命，在設備廠商滿足消費者這些需求的努力中，意法半導體 FD-SOI 晶片的量產和上市將發(fā)揮至關重要的作用。

多媒體融合應用需要兼具性能和能效的半導體技術。隨著晶片外觀尺寸不斷縮小，傳統(tǒng)技術無法使電晶體的性能和電池壽命同時達到最高水準，無法在實現最高性能的同時確保溫度不超過安全限制。這解決的方法是采用FD-SOI技術，這種技術兼具最高性能、低工作功耗(在各種應用中，在降低電源功率后的同時還能保持良好的性能)以及低待機功耗。

憑藉其注重成本效益的平面型FD-SOI技術，意法半導體率先推出了28奈米的完全空乏型元件。為FD-SOI貨源提供雙重保障，意法半導體與GLOBALFOUNDRIES簽訂了代工協(xié)定，以補充意法半導體位于法國Crolles工廠的產能。28奈米 FD-SOI元件目前已商用化，預計于2012年7月前投入原型設計；而 20奈米 FD-SOI元件目前處于研發(fā)階段，預計于2013年第三季投入原型設計。

意法半導體的FD-SOI技術已被ST-Ericsson用于下一代行動平臺，這項技術將讓ST-Ericsson的 NovaThor平臺具有更高的性能和更低的功耗，在發(fā)揮最高性能的同時降低功耗達35%。意法半導體也計劃對GLOBALFOUNDRIES的其它客戶開放FD-SOI技術，讓他們能夠采用目前最先進的 28奈米和20奈米技術研發(fā)產品。