全球最大半導體設備廠應用材料昨（7）日宣布推出關鍵性離子植入技術，能幫助未來的晶片進行微縮。新的Applied Varian VIISta Trident系統(tǒng)，可提供精確的植入劑量和角度控制，滿足先進電晶體結構的需求，已是主要晶圓代工廠中進入20奈米制程的首選工具。
應用材料推出新的Applied Varian VIISta Trident系統(tǒng)，是半導體產業(yè)最先進的單晶片式高電流離子植入系統(tǒng)。應材指出，在嵌入「摻雜物」原子的晶片電性工程中，該新系統(tǒng)是唯一被驗證具有能力達成20奈米高效與節(jié)能邏輯晶片制程量產所需良率的高電流離子植入機。
在20奈米制程世代中，如何將摻雜原子活化，并抑制延伸層、源極/汲極層、和接觸層中的晶格瑕疵（crystal defects），已成為在高效能電晶體尺寸微小化過程中的重大挑戰(zhàn)。新系統(tǒng)的獨特功能，對于如何精確控制摻雜原子的濃度和縱深分布，以達成先進元件的高效能、控制漏電流、減少功能變異性等要求，具有關鍵性的影響。
應用材料副總裁暨瓦里安事業(yè)部總經理鮑勃．哈里戴（Bob Halliday）表示，典型的先進邏輯晶片需要多達60道的植入步驟，這包括共同植入技術與高精密度材質調整的應用，VIISta Trident系統(tǒng)所具備的高精準度技術，對于客戶是否能在最先進的產品制程上快速達到可以獲利的良率水準來說，是一項不可或缺的要素。VIISta Trident系統(tǒng)效能表現(xiàn)優(yōu)異的關鍵，是來自于為增強低能量離子植入效能所設計的雙磁鐵偏轉帶狀離子光束的專利架構。此系統(tǒng)的能量純化模組，可完全消除具破壞性的高能量離子物質。