聯(lián)電砸80億美元南科擴廠,攻28納米以下制程
[導讀]聯(lián)電(2303)南科擴廠,今早舉辦動土典禮;聯(lián)電Fab 12A第5、6期廠房預計新增投資80億美元,專攻28納米以下制程,月產(chǎn)能估新增12寸晶圓5萬片。
繼臺積電南科14廠第5期于上個月動土、預計將導入20納米產(chǎn)能;聯(lián)電(2303)F
聯(lián)電(2303)南科擴廠,今早舉辦動土典禮;聯(lián)電Fab 12A第5、6期廠房預計新增投資80億美元,專攻28納米以下制程,月產(chǎn)能估新增12寸晶圓5萬片。
繼臺積電南科14廠第5期于上個月動土、預計將導入20納米產(chǎn)能;聯(lián)電(2303)Fab 12A第5、6期廠房的動土典禮于今(24日)在南科舉行。
聯(lián)電董事長洪嘉聰指出,F(xiàn)ab 12A第5、6期廠房將再投入80億美元支出,專攻28、20、14納米制程生產(chǎn),預計在明年下半年進行機臺移入。Fab 12A第1-4期廠房預計資本支出約80億美元,預計新建的第5、6期廠房投資將達到同樣金額。
聯(lián)電目前有一座6寸晶圓、7座8寸晶圓和2座12寸晶圓廠,其中,12寸晶圓廠分別為位于新加坡的Fab 12i和位于南科的Fab 12A。
聯(lián)電是于1999年11月進駐南科,興建在臺灣的第一座12寸晶圓廠Fab 12A。聯(lián)電Fab 12A在增加第5、6期廠房之后,潔凈室總面積將達5萬3千平方公尺,相當于10座美式足球場大小,增加超過2600個工作機會,最大規(guī)劃月產(chǎn)能將從8萬片提升至13萬片,加上規(guī)劃中的第7、8期廠房,F(xiàn)ab 12A總計月產(chǎn)能將達18萬片。
繼臺積電南科14廠第5期于上個月動土、預計將導入20納米產(chǎn)能;聯(lián)電(2303)Fab 12A第5、6期廠房的動土典禮于今(24日)在南科舉行。
聯(lián)電董事長洪嘉聰指出,F(xiàn)ab 12A第5、6期廠房將再投入80億美元支出,專攻28、20、14納米制程生產(chǎn),預計在明年下半年進行機臺移入。Fab 12A第1-4期廠房預計資本支出約80億美元,預計新建的第5、6期廠房投資將達到同樣金額。
聯(lián)電目前有一座6寸晶圓、7座8寸晶圓和2座12寸晶圓廠,其中,12寸晶圓廠分別為位于新加坡的Fab 12i和位于南科的Fab 12A。
聯(lián)電是于1999年11月進駐南科,興建在臺灣的第一座12寸晶圓廠Fab 12A。聯(lián)電Fab 12A在增加第5、6期廠房之后,潔凈室總面積將達5萬3千平方公尺,相當于10座美式足球場大小,增加超過2600個工作機會,最大規(guī)劃月產(chǎn)能將從8萬片提升至13萬片,加上規(guī)劃中的第7、8期廠房,F(xiàn)ab 12A總計月產(chǎn)能將達18萬片。





