在臺積電年度技術研討會上，該公司執(zhí)行副總裁暨共同營運長蔣尚義表示，若微影技術無法讓14nm制程達到合理的成本效益，那么臺積電可能會在20nm制程之后再提供18nm或16nm制程節(jié)點。

蔣尚義表示，臺積電最初計劃提供兩種20nm制程，分別為高性能制程與低功耗制程。這兩種制程都采用high-k金屬閘極(HKMG)技術。

然而，在歷經一段時間的發(fā)展后，蔣尚義表示，臺積電認為這兩種20nm制程之間并沒有明顯的性能差距。由于20nm的線寬非常小，已經接近基本的物理極限了，因此也沒有太大空間針對不同的閘極長度或其他需求來調整設計規(guī)則。[!--empirenews.page--]

臺積電目前提供四種28nm制程，分別為：高性能；低功耗；針對行動應用的HKMG低功耗制程，以及HKMG高性能制程。

TSMC expects its 20-nm HKMG process to be in production next year. In 2015, TSMC wants to commence production at the 14-nm node, adding FinFET 3-D transistors.

臺積電預計明年量產20nm HKMG制程。2015年，臺積電希望能量產采用FinFET 3D電晶體的14nm制程。

然而，整個半導體產業(yè)都在等待超紫外光(EUV)微影技術。EUV技術一再延宕，迄今仍未能發(fā)展出大量生產所需的足夠光源和穩(wěn)定性。微影設備供應商ASML Holding NV 公司正與數家光源供應商合作開發(fā)，并承諾在2013至2014年將可提供商用化所需的足夠的吞吐量。

然而，不少業(yè)界人士對于EUV技術能否支援臺積電和其他領先晶片制造商的技術發(fā)展藍圖抱持懷疑態(tài)度。蔣尚義指出，193nm浸入式微影領域已經展現出長足進展，它甚至可能在14nm節(jié)點作為商用化的替代技術。然而，蔣尚義也表示，為了提供足夠銳利的影像，193nm浸入式微影針對某些層會需要三重圖案，而針對大多數的層都會需要雙重圖案，這會讓量產成本急遽升高。

蔣尚義表示，臺積電“正在慎重考慮”是否提供18nm或16nm制程。“一旦我們選擇這個節(jié)點，我們就必須為客戶提供至少10年的服務。”

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編譯：Joy Teng