SII納米科技開發(fā)出支持16nm工藝的掩模修正技術(shù)產(chǎn)品將于2012
[導(dǎo)讀]日本精工電子的全資子公司，從事測(cè)量分析設(shè)備業(yè)務(wù)的SII納米科技（SII NanoTechnology），開發(fā)出了可支持16nm工藝半導(dǎo)體制造的掩模修正技術(shù)。技術(shù)詳情將在2012年4月17～19日于太平洋橫濱會(huì)展中心舉行的“Photomask Ja
日本精工電子的全資子公司，從事測(cè)量分析設(shè)備業(yè)務(wù)的SII納米科技（SII NanoTechnology），開發(fā)出了可支持16nm工藝半導(dǎo)體制造的掩模修正技術(shù)。技術(shù)詳情將在2012年4月17～19日于太平洋橫濱會(huì)展中心舉行的“Photomask Japan 2012”上發(fā)布。采用此新技術(shù)的掩膜修正設(shè)備預(yù)定2012年9月投產(chǎn)。
SII納米科技多年來一直提供采用FIB（聚焦離子束）來修正掩模缺陷的設(shè)備，而90nm工藝以后的主流是采用EB（電子束）的掩模修正技術(shù)，因此該公司的市場(chǎng)份額出現(xiàn)下滑。但是，SII納米科技認(rèn)為22nm工藝以后在半色調(diào)掩模中采用新型MoSi膜“A6L2”的可能性較高，難以通過EB修正掩模缺陷。
SII納米科技通過對(duì)原來的FIB技術(shù)進(jìn)行改進(jìn)，開發(fā)出了可修正A6L2膜的技術(shù)。具體來說，就是采用了“氣態(tài)場(chǎng)發(fā)射離子源（Gas Field Ion Source：GFIS）”。與原來采用液體Ga的離子源相比，GFIS除了可以減小射束直徑外，通過選擇適當(dāng)?shù)臍怏w種類，還可以有效地對(duì)A6L2膜進(jìn)行蝕刻。采用GFIS的最小修正尺寸為10nm，降至原來采用液體Ga的FIB設(shè)備的1/6 ，從而可以有效修正16nm工藝的掩模。
此次的技術(shù)原本是作為EUV掩模缺陷修正技術(shù)而開發(fā)的，但除了EUV掩模外，還可以修正納米壓印模板的缺陷。
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新開發(fā)的氣態(tài)場(chǎng)發(fā)射離子源（GFIS）
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可修正EUV掩模的缺陷
SII納米科技多年來一直提供采用FIB（聚焦離子束）來修正掩模缺陷的設(shè)備，而90nm工藝以后的主流是采用EB（電子束）的掩模修正技術(shù)，因此該公司的市場(chǎng)份額出現(xiàn)下滑。但是，SII納米科技認(rèn)為22nm工藝以后在半色調(diào)掩模中采用新型MoSi膜“A6L2”的可能性較高，難以通過EB修正掩模缺陷。
SII納米科技通過對(duì)原來的FIB技術(shù)進(jìn)行改進(jìn)，開發(fā)出了可修正A6L2膜的技術(shù)。具體來說，就是采用了“氣態(tài)場(chǎng)發(fā)射離子源（Gas Field Ion Source：GFIS）”。與原來采用液體Ga的離子源相比，GFIS除了可以減小射束直徑外，通過選擇適當(dāng)?shù)臍怏w種類，還可以有效地對(duì)A6L2膜進(jìn)行蝕刻。采用GFIS的最小修正尺寸為10nm，降至原來采用液體Ga的FIB設(shè)備的1/6 ，從而可以有效修正16nm工藝的掩模。
此次的技術(shù)原本是作為EUV掩模缺陷修正技術(shù)而開發(fā)的，但除了EUV掩模外，還可以修正納米壓印模板的缺陷。
新開發(fā)的氣態(tài)場(chǎng)發(fā)射離子源（GFIS）
可修正EUV掩模的缺陷
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